公开(公告)号：CN117650057A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311661336.8

申请日：2023-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵建明 ,  卢潇 ,  徐开凯 ,  李鑫煜 ,  李则鹏 ,  唐宇

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/77 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60

Abstract: 发明提出了一种半导体分立器件或集成电路的晶圆减薄制备技术，并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于：直接在晶圆表面覆盖一层柔性光敏聚酰亚胺薄膜，该薄膜既可以作为晶圆减薄时的保护层，又可以作为晶圆的封装层。此后，通过光刻工艺在聚酰亚胺薄膜表面刻出原压焊区，通过电镀从原压焊区长出金属柱到聚酰亚胺薄膜表面，在晶圆背面覆盖上聚酰亚胺薄膜，通过切片分割，直接实现半导体器件在晶圆层面的柔性封装。本发明在完成芯片柔性封装的同时，还保证芯片具有一定的刚性特征，适合安装应用。本发明适用于半导体封装技术领域。

公开(公告)号：CN116581119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310526138.4

申请日：2023-05-11

Applicant: 电子科技大学 ,  周烨

Inventor： 赵建明 ,  周烨 ,  卢潇 ,  范洋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种基于BCD工艺的ESD保护电路，其特征在于包括：电源线、地线、四个PMOS管、一个NMOS管；MOS管相互串联，栅极与源极相连；所述NMOS器件击穿电压约为9V~16V，PMOS器件击穿电压约为10V~12V；所述MOS器件均由BCD工艺制造；该电路可用于40V高工作电压下的ESD防护。上述方案的电路可以保持足够的ESD放电能力并可尽量缩小电路的版图面积。

公开(公告)号：CN117672964A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311661345.7

申请日：2023-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵建明 ,  李鑫煜 ,  卢潇 ,  徐开凯 ,  范洋

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/71 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提出了一种功率器件芯超薄制备与封装方法。其特点在于：正面覆盖一层30μm至60μm的聚酰亚胺或其它钝化膜，该钝化层在实现正面电极重新布局的同时，也形成了晶圆表面封装保护层，该保护层更可作为薄晶圆片封装的加工支撑，以方便采用固晶机的芯片拾取。此外，这层薄膜也可作为功率晶圆进行减薄加工保护支撑层。完成前述步骤的功率器件晶圆可通过金属蒸发或淀积的工艺形成背面电极。上诉结构在完成减薄后具有一定的厚度，存在一定的刚性，可采用TO‑220、TO247和模块支架等封装架构，对其键合封装。

公开(公告)号：CN117650058A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311661337.2

申请日：2023-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 徐开凯 ,  范洋 ,  赵建明 ,  卢潇 ,  李鑫煜 ,  李则鹏

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/77 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60

Abstract: 发明提出了一种半导体晶圆级的减薄制备技术并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于：在原晶圆钝化焊点处通过电镀形成金属柱，再通过旋转涂胶等方法，在已形成金属柱的晶圆正面上形成一层聚酰亚胺柔性封装层，此后通过化学机械抛光将聚酰亚胺柔性封装层研磨至裸露出金属柱，之后便可进行晶圆背面减薄与晶圆正面植球等工艺，完成晶圆级柔性封装。本发明最大限度减小了柔性芯片的寄生参数，并实现了规模化晶圆级柔性芯片封装，大幅提高了生产良率。本发明属于半导体技术领域。