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公开(公告)号:CN105245362B
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201510581282.3
申请日:2015-09-14
IPC: H04L12/24
Abstract: 本发明公开了一种SDN环境中重要节点信息采集方法,用于选取网络中重要节点,从而进行网络服务的重点监测和重点部署。首先对转发平面与网络服务程序的相关信息收集,然后对转发节点的重要程度进行量化分析,进而对网络服务进行有重点的信息采集。其中,所选参数包括四部分:1)通信量;2)网络拓扑;3)转发节点活跃度;4)网络服务信息,其中网络服务信息指对于评价转发节点部署该服务的迫切程度有关的指标,可根据具体网络服务在其所提供的指标中进行选取。本发明对网络服务的信息采集工作进行优化,在减少网络服务信息采集节点数量的同时,获得较好的服务效果。
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公开(公告)号:CN104506385B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201410826302.4
申请日:2014-12-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种软件定义网络安全态势评估方法,结合SDN集中控制和收集信息直接、快速的优势,针对SDN转发面典型的三类攻击提出了一个开放的SDN安全态势评估框架,该安全框架与SDN控制器的架构紧密契合,其中异常检测模块根据SDN和各类攻击特性提取特征指标,并且选取支持向量分类算法(SVM)进行识别,给出攻击的预判。而安全态势评估模块根据异常检测模块收集的信息对网络安全态势进行量化评估,并通过阈值的设置来调节评估系统对攻击的敏感程度和抗噪声能力。最后本发明对不同的攻击基于层次分析法(AHP)分配不同的权值,从而拟合出网络的综合安全态势值。本发明灵活、简单,能准确地检测到攻击行为并给出网络的安全态势量化评估,以较小的代价实现对SDN转发面安全状况的监测和评估。
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公开(公告)号:CN106817248A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201611179208.X
申请日:2016-12-19
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H04L63/1416 , H04L41/145
Abstract: 本发明公开了一种高级持续性威胁(Advanced Persistent Threat,APT)攻击检测方法,利用半监督学习算法来标记特征相似的数据,利用少量已标记数据生成大规模的训练数据集,并引入信息增益率来确定不同特征对检测的影响程度;采用信息增益率对检测模型中划分的每个子数据集进行特征提取,以实现对未知攻击的准确识别。本发明利用改进的k‑means算法来标记特征相似的数据,在少量人工标记数据的基础上实现了大量训练数据集的准确标记,保证了模型的检测精度;通过在模型中引入信息增益率来确定不同特征对检测的影响程度,减少数据中冗余及噪声特征的影响,从而选取重要的流量特征,提高检测模型的泛化能力,以应对未知攻击的检测。
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公开(公告)号:CN106803825A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710016887.7
申请日:2017-01-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于查询范围的匿名区构造方法,主要解决在基于位置的服务中,现有K‑匿名技术存在匿名区域过大,导致服务质量降低的问题,其过程是:1)通过匿名服务器生成满足用户隐私保护需求的子匿名区域集合CS;2)以服务提供者的查询区域面积为判定标准,更新子匿名区域集合CS;3)重复步骤2,直至不满足子匿名区域集合CS的更新条件,最终构造出匿名区CS′。本发明能满足用户的隐私需求,实验表明,减小了服务提供者的查询区域面积、降低了用户获取服务的时延,提高了服务质量,可用于基于位置服务中用户位置隐私的保护。
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公开(公告)号:CN113087532B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202110238727.3
申请日:2021-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)将亚硝酸钠、乙酸钠加入去离子水中,搅拌混合均匀,得到氧化反应液;2)将氯化亚铁、氯化镍、氯化锌、氯化钴加入去离子水中,搅拌混合均匀,得到还原反应液;3)将干净的基板放置于旋转喷涂设备的加热板中央,调节基板温度、旋转速度、氧化反应液和还原反应液的供应速率、超声雾化功率,沉积薄膜。本发明通过减少主配方中Fe含量并引入Co,降低了薄膜面内磁各向异性,提高NiZn铁氧体薄膜起始磁导率的同时还兼具高的截止频率和饱和磁化强度,为磁性薄膜应用于片上系统的电感器和高频开关电源提供了有效方法。
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公开(公告)号:CN113087532A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110238727.3
申请日:2021-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/26 , H01F1/14 , H01F41/24
Abstract: 一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)将亚硝酸钠、乙酸钠加入去离子水中,搅拌混合均匀,得到氧化反应液;2)将氯化亚铁、氯化镍、氯化锌、氯化钴加入去离子水中,搅拌混合均匀,得到还原反应液;3)将干净的基板放置于旋转喷涂设备的加热板中央,调节基板温度、旋转速度、氧化反应液和还原反应液的供应速率、超声雾化功率,沉积薄膜。本发明通过减少主配方中Fe含量并引入Co,降低了薄膜面内磁各向异性,提高NiZn铁氧体薄膜起始磁导率的同时还兼具高的截止频率和饱和磁化强度,为磁性薄膜应用于片上系统的电感器和高频开关电源提供了有效方法。
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公开(公告)号:CN106817248B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201611179208.X
申请日:2016-12-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高级持续性威胁(Advanced Persistent Threat,APT)攻击检测方法,利用半监督学习算法来标记特征相似的数据,利用少量已标记数据生成大规模的训练数据集,并引入信息增益率来确定不同特征对检测的影响程度;采用信息增益率对检测模型中划分的每个子数据集进行特征提取,以实现对未知攻击的准确识别。本发明利用改进的k‑means算法来标记特征相似的数据,在少量人工标记数据的基础上实现了大量训练数据集的准确标记,保证了模型的检测精度;通过在模型中引入信息增益率来确定不同特征对检测的影响程度,减少数据中冗余及噪声特征的影响,从而选取重要的流量特征,提高检测模型的泛化能力,以应对未知攻击的检测。
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公开(公告)号:CN106506534B
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201611131845.X
申请日:2016-12-09
Abstract: 本发明公开了一种SDN网络的ARP攻击解决方法,包括注册信息阶段和攻击检测阶段,其中,注册信息阶段涉及到三个步骤的工作:主机生成哈希链,主机注册哈希链信息和控制器为主机建立验证信息表;攻击检测阶段涉及到四个步骤的工作:控制器记录主机的MAC、IP地址以及初始接入位置,控制器验证源主机的“MAC‑IP”映射的真实性,控制器验证源主机MAC地址的真实性,控制器确认目的主机的最新接入位置。本发明基本没有改变SDN网络中原本的ARP数据包传输机制,控制器在ARP数据包的传输过程中就同时完成了对主机的MAC、IP及接入位置的真实性的验证,能够自动化的区分攻击情况与主机迁移引起的信息改变。
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公开(公告)号:CN105430615B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201510880475.9
申请日:2015-12-04
Abstract: 本发明公开了一种连续位置服务请求下基于假位置的位置隐私保护方法,采用连续请求的可达性检查算法和单次请求的位置隐私增强算法;连续请求的可达性检查算法对某个针对单次请求的基于假位置生成方法产生的候选假位置集合中进行可达性检查,最终得到满足可达性检查的连续LBS请求下的连续假位置候选组;单次请求的位置隐私增强算法对于每一个连续LBS请求下的连续假位置候选组,将其位置隐私水平进行比较,选择隐私水平最高的候选组作为最终生成的假位置集合。本发明在能有效满足用户的连续LBS请求的位置隐私保护需求的同时,还具有较好的实用性。
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公开(公告)号:CN113077981A
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202110238832.7
申请日:2021-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器,属于薄膜电感器制备技术领域。该薄膜电感器包括衬底基片,形成于衬底基片之上的磁性薄膜,形成于磁性薄膜之上的电感线圈;其中,所述衬底基片包括依次设置的硅基片、聚酰亚胺层和氮化硅层,聚酰亚胺层的厚度为30μm~70μm。本发明薄膜电感器通过在基底上形成聚酰亚胺层,有效降低了电感的衬底损耗和寄生电容,使薄膜电感器具有高的Q值和谐振频率;采用旋转喷涂法低温沉积磁性薄膜,避免聚酰亚胺层的高温分解开裂;通过对电感线圈的匝数、导线宽度、导线间距和导线厚度进行优化,最终得到了高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器。
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