一种介质-金属太赫兹慢波结构

    公开(公告)号:CN114038729B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202111320641.1

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域,公开了一种新型介质‑金属太赫兹慢波结构,包括至少一个用于定向引导电磁波的波导,所述电磁波在所述波导上的电子注通道定向流动,所述电子注通道的两侧外壁覆盖有绝缘介质层,通过所述绝缘介质层降低所述电磁波的相速度。本发明利用在太赫兹频段低损耗系数的高密度聚乙烯附着在矩形交错栅慢波结构的矩形栅上实现降低慢波结构中电磁波相速和提高太赫兹频段耦合阻抗的目的,电子注通道上下的金属栅呈交错分布,在矩形金属栅栅顶覆盖石墨烯防止电子在介质中聚集,避免介质被击穿。

    一种可自由调谐的PCM装置

    公开(公告)号:CN114038727A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111320647.9

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明涉及周期聚焦磁场技术领域,公开了一种可自由调谐的PCM装置,包括极靴和磁钢,还包括用于固定磁钢的固定装置;所述固定装置包括第一磁体支架、第二磁体支架以及磁体压板;所述第一磁体支架和第二磁体支架分别抵接在所述磁钢的上下两侧以将所述磁钢进行固定;所述磁体压板的两端分别与所述第一磁体支架和第二磁体支架固定连接,以保证所述第一磁体支架和第二磁体支架的位置相对固定;所述极靴设置在相邻两个所述磁钢之间的间隙间,所述极靴与所述磁钢的表面接触,所述极靴可以且仅可以沿所述第一磁体支架朝所述第二磁体支架的方向滑动。本发明可以在固定磁块位置的同时对极靴交错程度进行调整。

    双电子注通道正弦波导慢波结构

    公开(公告)号:CN110706992B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201911005442.4

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 本发明公开了双电子注通道正弦波导慢波结构,包括一正弦波导,所述正弦波导的,宽边长度为a,窄边长度为b,正弦线周期性带状起伏的高度为h,正弦线周期性带状起伏的周期长度为p,正弦线周期性带状起伏的宽度为a,减小原常规正弦波导的窄边尺寸b,使得上下两条正弦线交错,沿周期方向建立2个带状电子注通道,所述带状电子注通道的宽度为b_w,高度为b_h,2个带状电子注通道对称设置在正弦波导两侧并贯穿正弦波导。本发明解决了现有正弦波导慢波结构的耦合阻值较小的问题,同时还具有更好的色散特性。

    一种双电子注通道折叠波导慢波结构

    公开(公告)号:CN114005719B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202111470712.6

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明涉及电磁波技术领域,公开了一种新型双电子注通道折叠波导慢波结构,包括折叠波导,所述折叠波导上设有上排栅和下排栅,上移所述上排栅的弯栅段或者下移所述下排栅的弯栅段,使得上排栅和下排栅之间垂直于周期方向的距离增大,沿周期方向贯穿所述上排栅设有圆柱状的第一电子注通道,且所述第一电子注通道与所述下排栅的弯栅段的顶部相切,沿周期方向贯穿所述下排栅设有圆柱状的第二电子注通道,且所述第二电子注通道与所述上排栅的弯栅段的底部相切。通过增大上排栅和下排栅之间的距离,将原有单电子注通道半径改为沿周期方向建立贯穿折叠波导的双电子注通道,保证良好的色散特性情况下,有效提高了耦合阻抗并降低了损耗。

    一种椭圆金属柱晶格光子晶体的低损耗太赫兹波导

    公开(公告)号:CN114137658B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202111470202.9

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域,公开了一种椭圆金属柱晶格光子晶体的低损耗太赫兹波导,包括至少一组光子晶格阵列,所述光子晶格阵列由横向为M列、纵向为N个的光子晶体晶格周期性排列组成,其中,M、N均为不小于2的正整数,所述光子晶体晶格由长轴沿电磁波传播方向的椭圆柱作为晶格单元以及围绕在所述椭圆柱周围的真空腔组成,所述椭圆柱的长轴与纵向平行。本发明采用椭圆柱作为光子晶体晶格的晶格单元,由于相邻两个椭圆柱沿纵向与沿横向距离不一致,相较于正方形与圆柱的对称晶格,展宽了电磁波TE模式的传输禁带,从而提高了传输带宽,同时这一特性也使得工作带宽范围内电磁波的传输损耗降低,实现了低损耗宽带太赫兹波的传输。

    一种双通道交错双栅慢波结构
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115083865A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210680742.8

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 本发明公开了一种双通道交错双栅慢波结构,属于真空技术领域,包括壳体、形成在内腔第一侧面上的若干第一栅体、以及形成在内腔与第一侧面相对应的第二侧面上的若干第二栅体,每个所述第一栅体上均设有第一通孔,每个所述第二栅体上均设有第二通孔,若干所述第一通孔与若干所述第二通孔形成双电子注通道;所述第一栅体与所述第二栅体交错排列在所述壳体内,且所述第一栅体的底部与所述第二栅体的顶部交错重叠设置。本发明的有益效果为通过设置上下栅体交错重叠,且在第一栅体与第二栅体上各形成通孔,形成双通道电子注入,提高了行波管的输出功率与增益。

    一种新型介质-金属太赫兹慢波结构

    公开(公告)号:CN114038729A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111320641.1

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域,公开了一种新型介质‑金属太赫兹慢波结构,包括至少一个用于定向引导电磁波的波导,所述电磁波在所述波导上的电子注通道定向流动,所述电子注通道的两侧外壁覆盖有绝缘介质层,通过所述绝缘介质层降低所述电磁波的相速度。本发明利用在太赫兹频段低损耗系数的高密度聚乙烯附着在矩形交错栅慢波结构的矩形栅上实现降低慢波结构中电磁波相速和提高太赫兹频段耦合阻抗的目的,电子注通道上下的金属栅呈交错分布,在矩形金属栅栅顶覆盖石墨烯防止电子在介质中聚集,避免介质被击穿。

    一种行波管的输入输出结构及行波管

    公开(公告)号:CN113964005A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111387125.0

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种行波管的输入输出结构及行波管,输入输出结构包括带状电子注通道,所述带状电子注通道的通道口大小大于或等于慢波通道口的大小,且所述带状电子注通道的侧壁设置有与所述带状电子注通道连通的封闭型弧状通道。本发明的目的在于提供一种行波管的输入输出结构及行波管,通过在带状电子注通道的侧壁上增加一个弧状通道,不仅可以使得带状电子注通道的通道口大小与慢波结构的通道口大小一致,而且整个结构的传输参数s11和传输参数s21都很好。

    一种可自由调谐的PCM装置

    公开(公告)号:CN114038727B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202111320647.9

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明涉及周期聚焦磁场技术领域,公开了一种可自由调谐的PCM装置,包括极靴和磁钢,还包括用于固定磁钢的固定装置;所述固定装置包括第一磁体支架、第二磁体支架以及磁体压板;所述第一磁体支架和第二磁体支架分别抵接在所述磁钢的上下两侧以将所述磁钢进行固定;所述磁体压板的两端分别与所述第一磁体支架和第二磁体支架固定连接,以保证所述第一磁体支架和第二磁体支架的位置相对固定;所述极靴设置在相邻两个所述磁钢之间的间隙间,所述极靴与所述磁钢的表面接触,所述极靴可以且仅可以沿所述第一磁体支架朝所述第二磁体支架的方向滑动。本发明可以在固定磁块位置的同时对极靴交错程度进行调整。

    一种双通道交错栅慢波结构

    公开(公告)号:CN110729160B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201911005152.X

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种双通道交错栅慢波结构,包括矩形波导,所述矩形波导上设置有2排矩形栅,上下两排矩形栅沿周期方向交错排列,所述矩形栅的高度超出矩形波导高度的一半,所述矩形栅内设置有用于贯穿矩形波导的矩形通道,上排矩形栅内设置的矩形通道的底部与下排矩形栅的顶部齐平,下排矩形栅内设置的矩形通道的顶部与上排矩形栅的底部齐平,上排矩形通道、下排矩形通道形成双电子注通道。本发明通过在在传统交错双栅慢波结构的基础上通过增大矩形栅的高度使原本交错栅的天然电子注通道消失,同时设置2排用于贯穿矩形波导和矩形栅的矩形通道形成上排和下排的双电子注通道,有效提高了耦合阻抗,增大了输出功率和电子效率。

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