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公开(公告)号：CN114038727B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111320647.9
申请日：2021-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J23/087
Abstract: 本发明涉及周期聚焦磁场技术领域，公开了一种可自由调谐的PCM装置，包括极靴和磁钢，还包括用于固定磁钢的固定装置；所述固定装置包括第一磁体支架、第二磁体支架以及磁体压板；所述第一磁体支架和第二磁体支架分别抵接在所述磁钢的上下两侧以将所述磁钢进行固定；所述磁体压板的两端分别与所述第一磁体支架和第二磁体支架固定连接，以保证所述第一磁体支架和第二磁体支架的位置相对固定；所述极靴设置在相邻两个所述磁钢之间的间隙间，所述极靴与所述磁钢的表面接触，所述极靴可以且仅可以沿所述第一磁体支架朝所述第二磁体支架的方向滑动。本发明可以在固定磁块位置的同时对极靴交错程度进行调整。
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公开(公告)号：CN114038729B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111320641.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域，公开了一种新型介质‑金属太赫兹慢波结构，包括至少一个用于定向引导电磁波的波导，所述电磁波在所述波导上的电子注通道定向流动，所述电子注通道的两侧外壁覆盖有绝缘介质层，通过所述绝缘介质层降低所述电磁波的相速度。本发明利用在太赫兹频段低损耗系数的高密度聚乙烯附着在矩形交错栅慢波结构的矩形栅上实现降低慢波结构中电磁波相速和提高太赫兹频段耦合阻抗的目的，电子注通道上下的金属栅呈交错分布，在矩形金属栅栅顶覆盖石墨烯防止电子在介质中聚集，避免介质被击穿。
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公开(公告)号：CN114038727A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111320647.9
申请日：2021-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J23/087
Abstract: 本发明涉及周期聚焦磁场技术领域，公开了一种可自由调谐的PCM装置，包括极靴和磁钢，还包括用于固定磁钢的固定装置；所述固定装置包括第一磁体支架、第二磁体支架以及磁体压板；所述第一磁体支架和第二磁体支架分别抵接在所述磁钢的上下两侧以将所述磁钢进行固定；所述磁体压板的两端分别与所述第一磁体支架和第二磁体支架固定连接，以保证所述第一磁体支架和第二磁体支架的位置相对固定；所述极靴设置在相邻两个所述磁钢之间的间隙间，所述极靴与所述磁钢的表面接触，所述极靴可以且仅可以沿所述第一磁体支架朝所述第二磁体支架的方向滑动。本发明可以在固定磁块位置的同时对极靴交错程度进行调整。
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公开(公告)号：CN114121575B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202111474401.7
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J23/24
Abstract: 本发明涉及太赫兹波领域，公开了一种正弦形开槽交错正弦波导，沿周期方向贯穿所述上子正弦栅的波峰与所述下子正弦栅的波峰形成正弦形开槽，再上移所述下子正弦栅或者下降所述上子正弦栅，使得垂直于周期方向上所述上子正弦栅的波峰与所述下子正弦栅的波峰交错设置，若干所述开槽交错后形成电子注通道。本发明的正弦形开槽交错正弦波导具有更高的耦合阻值，同时色散特性也得到了改善，即电子注与电磁波的互作用能力增加，进而行波管的输出功率、增益和互作用效率也得到了提高。
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公开(公告)号：CN114137658A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111470202.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域，公开了一种椭圆金属柱晶格光子晶体的低损耗太赫兹波导，包括至少一组光子晶格阵列，所述光子晶格阵列由横向为M列、纵向为N个的光子晶体晶格周期性排列组成，其中，M、N均为不小于2的正整数，所述光子晶体晶格由长轴沿电磁波传播方向的椭圆柱作为晶格单元以及围绕在所述椭圆柱周围的真空腔组成，所述椭圆柱的长轴与纵向平行。本发明采用椭圆柱作为光子晶体晶格的晶格单元，由于相邻两个椭圆柱沿纵向与沿横向距离不一致，相较于正方形与圆柱的对称晶格，展宽了电磁波TE模式的传输禁带，从而提高了传输带宽，同时这一特性也使得工作带宽范围内电磁波的传输损耗降低，实现了低损耗宽带太赫兹波的传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121575A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111474401.7
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J23/24
Abstract: 本发明涉及太赫兹波领域，公开了一种正弦形开槽交错正弦波导，沿周期方向贯穿所述上子正弦栅的波峰与所述下子正弦栅的波峰形成正弦形开槽，再上移所述下子正弦栅或者下降所述上子正弦栅，使得垂直于周期方向上所述上子正弦栅的波峰与所述下子正弦栅的波峰交错设置，若干所述开槽交错后形成电子注通道。本发明的正弦形开槽交错正弦波导具有更高的耦合阻值，同时色散特性也得到了改善，即电子注与电磁波的互作用能力增加，进而行波管的输出功率、增益和互作用效率也得到了提高。
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公开(公告)号：CN114005719A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111470712.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J23/28
Abstract: 本发明涉及电磁波技术领域，公开了一种新型双电子注通道折叠波导慢波结构，包括折叠波导，所述折叠波导上设有上排栅和下排栅，上移所述上排栅的弯栅段或者下移所述下排栅的弯栅段，使得上排栅和下排栅之间垂直于周期方向的距离增大，沿周期方向贯穿所述上排栅设有圆柱状的第一电子注通道，且所述第一电子注通道与所述下排栅的弯栅段的顶部相切，沿周期方向贯穿所述下排栅设有圆柱状的第二电子注通道，且所述第二电子注通道与所述上排栅的弯栅段的底部相切。通过增大上排栅和下排栅之间的距离，将原有单电子注通道半径改为沿周期方向建立贯穿折叠波导的双电子注通道，保证良好的色散特性情况下，有效提高了耦合阻抗并降低了损耗。
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公开(公告)号：CN114005719B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111470712.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J23/28
Abstract: 本发明涉及电磁波技术领域，公开了一种新型双电子注通道折叠波导慢波结构，包括折叠波导，所述折叠波导上设有上排栅和下排栅，上移所述上排栅的弯栅段或者下移所述下排栅的弯栅段，使得上排栅和下排栅之间垂直于周期方向的距离增大，沿周期方向贯穿所述上排栅设有圆柱状的第一电子注通道，且所述第一电子注通道与所述下排栅的弯栅段的顶部相切，沿周期方向贯穿所述下排栅设有圆柱状的第二电子注通道，且所述第二电子注通道与所述上排栅的弯栅段的底部相切。通过增大上排栅和下排栅之间的距离，将原有单电子注通道半径改为沿周期方向建立贯穿折叠波导的双电子注通道，保证良好的色散特性情况下，有效提高了耦合阻抗并降低了损耗。
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公开(公告)号：CN114137658B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111470202.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域，公开了一种椭圆金属柱晶格光子晶体的低损耗太赫兹波导，包括至少一组光子晶格阵列，所述光子晶格阵列由横向为M列、纵向为N个的光子晶体晶格周期性排列组成，其中，M、N均为不小于2的正整数，所述光子晶体晶格由长轴沿电磁波传播方向的椭圆柱作为晶格单元以及围绕在所述椭圆柱周围的真空腔组成，所述椭圆柱的长轴与纵向平行。本发明采用椭圆柱作为光子晶体晶格的晶格单元，由于相邻两个椭圆柱沿纵向与沿横向距离不一致，相较于正方形与圆柱的对称晶格，展宽了电磁波TE模式的传输禁带，从而提高了传输带宽，同时这一特性也使得工作带宽范围内电磁波的传输损耗降低，实现了低损耗宽带太赫兹波的传输。
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公开(公告)号：CN114038729A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111320641.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太赫兹波技术领域，公开了一种新型介质‑金属太赫兹慢波结构，包括至少一个用于定向引导电磁波的波导，所述电磁波在所述波导上的电子注通道定向流动，所述电子注通道的两侧外壁覆盖有绝缘介质层，通过所述绝缘介质层降低所述电磁波的相速度。本发明利用在太赫兹频段低损耗系数的高密度聚乙烯附着在矩形交错栅慢波结构的矩形栅上实现降低慢波结构中电磁波相速和提高太赫兹频段耦合阻抗的目的，电子注通道上下的金属栅呈交错分布，在矩形金属栅栅顶覆盖石墨烯防止电子在介质中聚集，避免介质被击穿。
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