冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114933468A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210534519.2

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷材料制备技术领域,涉及一种冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法,将Zn3B2O6与20wt.%的不同浓度的冰醋酸水溶液混合,形成固液混合物,再采用热压方法,通过调节烧结温度,烧结时间和单轴压力实现其致密化,再通过不同退火温度进一步实现致密化。本发明相比于传统高温固相反应,该方法可以在较低温度范围内实现致密化,且制备过程简单,烧结温度更低,时间更短,节约能耗,得到的微波介质陶瓷材料性能优异,具有良好的应用前景。

    用于改善太赫兹波导滤波器带外性能的双零点配置结构

    公开(公告)号:CN116995385A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311235272.5

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 本发明属于波导型器件领域,提供一种用于改善太赫兹波导滤波器带外性能的双零点配置结构,用以显著改善太赫兹波导滤波器的矩形系数以及带外远端抑制度。本发明基于TE301和TE202模式的双模谐振腔构成双零点配置结构,输入波导与输出波导均采用标准矩形波导,双模谐振腔采用关于标准矩形波导E面非对称的矩形结构,且关于标准矩形波导E面的偏移量为P,双模谐振腔的高度与标准矩形波导相同,双模谐振腔的长度为L,双模谐振腔的长度为A;并且,3×(a/2)<L<2×a,7×(a/4)<A<5×(a/2),0<P<A‑(a/2)且P≠A/6,a为标准矩形波导的宽度。本发明提供的双零点配置结构与带通滤波器级联之后能够同时改善滤波器的30dB矩形系数和带外抑制度。

    一种垂直互联的高抑制太赫兹波导滤波器

    公开(公告)号:CN117748072A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311749219.7

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明属于太赫兹波导滤波器技术领域,具体提供一种垂直互联的高抑制太赫兹波导滤波器,用于显著改善太赫兹频段下波导滤波器的带外抑制。本发明包括输入输出波导和水平耦合腔,以及两个单模谐振腔及连接它们的垂直耦合腔;其中,垂直耦合腔对两个传统的TE101单模谐振腔提供磁耦合的同时激励起一个额外的TM110谐振模式,该模式可以提供一个谐振点,能够在不额外增加单模谐振腔的情况下提高滤波器的阶数,改善滤波器的下阻带抑制;同时,该滤波器的上阻带有两个传输零点,分别与垂直耦合腔的TM110模和高次模TM120有关,有效提高了滤波器上阻带的整体抑制;并且,本发明不会增加滤波器的尺寸和插入损耗。

    LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111943670B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202010607150.4

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明公开了LiWVO6‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4,其中x为质量百分数(x=60,65,70,75,80,90wt%)。K2MoO4陶瓷微波性能优异,烧结温度低,在540℃左右,εr~7.5,Qf~22300GHz,但其τf值为‑70ppm/℃。最近发现一种钒酸盐LiWVO6,具有单斜结构,在700℃下高温烧结得到的介电性能为:εr~11.5,Qf~13260GHz,τf~+163.8ppm/℃。本发明通过冷烧结的方法,在200℃以下制备致密化的LiWVO6‑K2MoO4复合陶瓷,获得近零谐振频率温度系数的(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4基复合陶瓷微波材料。该复合陶瓷材料可广泛应用于谐振器,滤波器等微波器件。

    冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114933468B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210534519.2

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷材料制备技术领域,涉及一种冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法,将Zn3B2O6与20wt.%的不同浓度的冰醋酸水溶液混合,形成固液混合物,再采用热压方法,通过调节烧结温度,烧结时间和单轴压力实现其致密化,再通过不同退火温度进一步实现致密化。本发明相比于传统高温固相反应,该方法可以在较低温度范围内实现致密化,且制备过程简单,烧结温度更低,时间更短,节约能耗,得到的微波介质陶瓷材料性能优异,具有良好的应用前景。

    LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111943670A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010607150.4

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明公开了LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)LiWVO6-xK2MoO4,其中x为质量百分数(x=60,65,70,75,80,90wt%)。K2MoO4陶瓷微波性能优异,烧结温度低,在540℃左右,εr~7.5,Qf~22300GHz,但其τf值为-70ppm/℃。最近发现一种钒酸盐LiWVO6,具有单斜结构,在700℃下高温烧结得到的介电性能为:εr~11.5,Qf~13260GHz,τf~+163.8ppm/℃。本发明通过冷烧结的方法,在200℃以下制备致密化的LiWVO6-K2MoO4复合陶瓷,获得近零谐振频率温度系数的(1-x)LiWVO6-xK2MoO4基复合陶瓷微波材料。该复合陶瓷材料可广泛应用于谐振器,滤波器等微波器件。

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