公开(公告)号：CN102832250B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210341406.7

申请日：2012-09-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王向展 ,  王凯 ,  李念龙 ,  于文华 ,  于奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种分割环栅的抗辐照MOSFET，涉及半导体器件领域，尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割，解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题，以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区的不同提出了三种结构，结构一的分割区用场氧实现，减小了环栅栅宽W，而且有一定的抗辐照特性。结构二在分割区引入多晶硅栅（金属栅），抑制源漏间寄生漏电沟道，有较强的抗辐照性能。结构三只分割源/漏极，形成一种有抗辐照特性的电流镜，这种电流镜也可用在无辐照的环境中。分割后的结构可抑制源漏间寄生漏电沟道，具有抗辐照特性，且易与传统MOSFET工艺兼容。

公开(公告)号：CN102832250A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210341406.7

申请日：2012-09-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王向展 ,  王凯 ,  李念龙 ,  于文华 ,  于奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种分割环栅的抗辐照MOSFET，涉及半导体器件领域，尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割，解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题，以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区的不同提出了三种结构，结构一的分割区用场氧实现，减小了环栅栅宽W，而且有一定的抗辐照特性。结构二在分割区引入多晶硅栅（金属栅），抑制源漏间寄生漏电沟道，有较强的抗辐照性能。结构三只分割源/漏极，形成一种有抗辐照特性的电流镜，这种电流镜也可用在无辐照的环境中。分割后的结构可抑制源漏间寄生漏电沟道，具有抗辐照特性，且易与传统MOSFET工艺兼容。