-
公开(公告)号:CN101208762A
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200680022829.5
申请日:2006-06-21
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 提供具有可以控制交流通用继电器、汽车搭载用继电器等各种负荷的通用性,虽然较以往更加小型化但具有优良的耐久性的电触点材料。该电触点材料通过将由5.1~8.0重量%的Zn、0.01~5.0重量%的Sn、0.01~1.5重量%的Te、余量为Ag所形成的Ag-Zn-Sn-Te合金内部氧化而获得,或者通过将由0.01~5.0重量%的Zn、5.1~8.0重量%的Sn、0.01~1.5重量%的Te、余量为Ag所形成的Ag-Zn-Sn-Te合金内部氧化而获得。
-
公开(公告)号:CN1244939C
公开(公告)日:2006-03-08
申请号:CN200410045702.8
申请日:2004-05-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明为电触点材料,该电触点材料通过使在Ag-Cu合金中添加Te或Bi,再添加可改善加工性的In或Zn而形成的合金发生内部氧化制得。在Ag-Cu合金中所添加的Te或Bi不仅保持Ag-CuO系电触点材料的接触电阻稳定性,而且提高耐熔敷性、耐消耗性。合金中各成分的浓度较好为Cu:0.5~10.0重量%,Te或Bi:0.01~1.0重量%,In或Zn:0.5~10.0重量%。
-
公开(公告)号:CN100560785C
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN03107733.1
申请日:2003-03-31
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明是由贵金属构成的溅射靶材,其特征在于,具有相对于溅射面沿法线方向生长的柱状结晶组织,本发明解决了具有该特征的溅射靶材的问题。本发明不产生由熔解铸造法或粉末冶金法得到的溅射靶材产生的微小成堆块状体脱落的问题,是能够得到良好薄膜特性、同时内部缺陷极少的高纯度溅射用贵金属靶材。
-
公开(公告)号:CN1534110A
公开(公告)日:2004-10-06
申请号:CN03107733.1
申请日:2003-03-31
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明是由贵金属构成的溅射靶材,其特征在于,具有相对于溅射面沿法线方向生长的柱状结晶组织,本发明解决了具有该特征的溅射靶材的问题。本发明不产生由熔解铸造法或粉末冶金法得到的溅射靶材产生的微小成堆块状体脱落的问题,是能够得到良好薄膜特性、同时内部缺陷极少的高纯度溅射用贵金属靶材。
-
公开(公告)号:CN1574135A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410045702.8
申请日:2004-05-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明为电触点材料,该电触点材料通过使在Ag-Cu合金中添加Te或Bi,再添加可改善加工性的In或Zn而形成的合金发生内部氧化制得。在Ag-Cu合金中所添加的Te或Bi不仅保持Ag-CuO系电触点材料的接触电阻稳定性,而且提高耐熔敷性、耐消耗性。合金中各成分的浓度较好为Cu:0.5~10.0重量%,Te或Bi:0.01~1.0重量%,In或Zn:0.5~10.0重量%。
-
-
-
-