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公开(公告)号：CN118264970B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410675200.0
申请日：2024-05-29
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 一种MEMS封装结构及其制备方法，涉及半导体封装结构技术领域。该MEMS封装结构包括基板、间隔设置在基板上且分别与基板电连接的硅麦芯片和控制芯片、设置在基板上且罩设于硅麦芯片和控制芯片外周的封装盖板，以及第一振膜；其中，封装盖板内设有进音腔，第一振膜设于进音腔内且与封装盖板连接，第一振膜将进音腔划分为沿第一方向排布的第一空腔和第二空腔，第一方向与基板的厚度方向平行；硅麦芯片和控制芯片分别位于第二空腔内，且分别与第一振膜具有间隙；封装盖板上设有与第一空腔连通的第一进音孔，基板上设有与第二空腔连通的第二进音孔。该MEMS封装结构能够两个方向进音，能够提高MEMS封装结构的应用场景的多样性。
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公开(公告)号：CN113555493B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110819529.6
申请日：2021-07-20
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体封装结构和半导体封装方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、功能芯片、金属屏蔽层和覆膜层，功能芯片贴装在基板上，金属屏蔽层设置在基板上并罩设在功能芯片外，覆膜层设置在基板上并包覆在金属屏蔽层外，其中，金属屏蔽层内具有功能腔室，功能芯片容置在功能腔室内并与金属屏蔽层间隔设置。相较于现有技术，本发明实施例提供的半导体封装结构，避免了在压覆膜时芯片受压造成隐裂，保证了功能芯片的安全，同时避免了后续塑封时覆膜层进入到功能腔室导致功能芯片污染，保证了产品性能，并且避免了覆膜层受压产生裂纹，保证产品的气密性。
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公开(公告)号：CN118263207B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410667978.7
申请日：2024-05-28
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
摘要： 本申请提供了一种倒装芯片球栅阵列的散热器结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该倒装芯片球栅阵列的散热器结构包括基板、功能器件、第一散热层、散热盖、散热块和第二散热层。功能器件设于基板上并与基板电连接。第一散热层设于功能器件远离基板的一侧。散热盖设于基板上，并罩设功能器件。散热块设于散热盖远离功能器件的一侧。第二散热层设于散热块和散热盖之间。第一散热层和功能器件的厚度之和等于第二散热层和散热块的厚度之和。该倒装芯片球栅阵列的散热器结构能实现较好的散热性能，且封装质量可靠。
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公开(公告)号：CN118099179B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410501583.X
申请日：2024-04-25
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供的一种传感器封装方法和传感器封装结构，涉及传感器封装技术领域。该传感器封装方法包括：提供设有感光芯片的第一基板；在第一基板上贴装第二基板。第二基板包括相连的围挡部和盖设部，围挡部贴于第一基板，且感光芯片位于围挡部形成的围框内；盖设部位于围挡部远离第一基板的一侧。在第一基板上形成塑封体，塑封体位于围框外。在形成塑封体的步骤之前或之后，去除盖设部；在围挡部上形成第一胶层；在第一胶层上贴透光板；透光板、围挡部和第一基板将感光芯片围在密闭空间内。该方法有利于提高传感器的封装质量，工艺更简单，避免激光开槽带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN118538714A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410701609.5
申请日：2024-05-31
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/58 , H01L23/367 , H01L21/52
摘要： 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该芯片封装结构包括基板、倒装芯片、第一无源器件、包覆胶层和散热盖，倒装芯片贴设在基板上，第一无源器件设置在倒装芯片背面；包覆胶层设置在倒装芯片背面，并包覆在第一无源器件外；散热盖设置在基板上，且散热盖贴合于包覆胶层背面；其中，散热盖的表面设置有第一布线层，第一布线层由散热盖的边缘延伸至散热盖的中部。相较于现有技术，本发明缩小了第一无源器件与倒装芯片的贴装范围，有利于器件的小型化。并且，避免了在基板上额外布线，减少基板布线数量，避免基板布线层之间寄生效应以及电容效应，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN118431177A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410889450.4
申请日：2024-07-04
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
发明人： 何正鸿
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体封装结构包括具有导电线路的布线结构、位于布线结构上的介质层、位于介质层上且通过介质层与导电线路电连接的芯片、用于将芯片封装于介质层上的塑封层以及冷却结构；布线结构具有凹槽、第一散热孔和第二散热孔；冷却结构位于凹槽内且与导电线路电连接；冷却结构与凹槽的内壁之间的间隙形成第二散热孔，冷却结构通电产生振动以使第一散热孔处的热量通过第二散热孔与外界空气形成气流压差。该半导体封装结构能提高封装结构的散热性能、减小热冲击带来的应力形变对器件的影响。
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公开(公告)号：CN118136597A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410572014.4
申请日：2024-05-10
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/50
摘要： 本发明提供了一种倒装芯片球栅阵列的散热器结构及其封装方法，涉及半导体封装技术领域。该倒装芯片球栅阵列的散热器结构包括基板、第一芯片、第二芯片、散热盖和塑封体，第一芯片连接于基板。第二芯片连接于基板，且与第一芯片间隔设置。散热盖连接于基板，且盖设第一芯片和第二芯片。散热盖设有独立的第一空腔和第二空腔，第一空腔用于容纳第一芯片，第二空腔用于容纳第二芯片。第一空腔设有排气孔；散热盖开设有通孔。塑封体至少覆盖部分散热盖。该倒装芯片球栅阵列的散热器结构能实现回流焊接中气体排出，防止回流中熔化的混合物飞溅损伤其余芯片。
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公开(公告)号：CN112289689B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011178889.4
申请日：2020-10-29
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/49
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体封装结构制作方法和半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域。该方法包括：提供一基板，在基板的一侧设置管脚连接点；对基板上导通管脚连接点所在的一侧进行塑封，形成第一塑封体；在第一塑封体上导通管脚连接点对应的位置形成凹槽；在凹槽中设置导电柱，导电柱的一端与导通管脚连接点连接，另一端延伸出第一塑封体；将芯片设置在基板远离导通管脚连接点的一侧，并在芯片所在的一侧对基板进行塑封，形成第二塑封体；在第一塑封体、第二塑封体的表面和基板的侧面进行金属溅射形成金属屏蔽层，金属屏蔽层与导电柱远离导通管脚连接点的一端连接，通过上述设置，能够获取一种金属屏蔽性能稳定的半导体封装结构。
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公开(公告)号：CN117012765A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310984905.6
申请日：2023-08-07
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552
摘要： 本公开提供的一种电磁屏蔽结构和电磁屏蔽结构制作方法，涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽结构包括衬底、第一电子器件、屏蔽阻隔层、增强屏蔽层、塑封体和金属层，衬底上设有接地焊盘，第一电子器件设于衬底上，且与衬底电连接。第一电子器件位于屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内；屏蔽阻隔层设有转角部；增强屏蔽层设于转角部，增强屏蔽层电连接于接地焊盘；塑封体设于衬底上，且包覆第一电子器件、屏蔽阻隔层和增强屏蔽层；金属层设于塑封体上，金属层分别与屏蔽阻隔层和增强屏蔽层电连接。该结构电磁屏蔽效果好，可有效防止杂波干扰。
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公开(公告)号：CN116403918B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310672632.1
申请日：2023-06-08
申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司
发明人： 何正鸿
摘要： 本公开实施例提供了一种封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该封装结构包括转接板以及间隔贴装在转接板上的第一器件、第二器件和第三器件，第一器件、第二器件和第三器件之间相互间隔设置，以在第三器件朝向第一器件和第二器件的一侧形成第一间隙槽，第一器件和第二器件之间形成第二间隙槽，第一间隙槽和第二间隙槽相互连通，形成T形沟道；第一间隙槽靠近第二间隙槽处的宽度减小。这样可以使得底部填充的保护胶在第一间隙槽靠近第二间隙槽处的胶量减少，从而降低此处胶体应力，防止由于胶体应力过大而出现器件隐裂等现象。
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