公开(公告)号：CN108463872B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201780006590.0

申请日：2017-01-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 麦可·W·奥斯邦 ,  大卫·E·苏若恩 ,  朱利安·G·布雷克

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/425 ,  H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01J27/02

Abstract: 一种离子植入机、半导体晶片的植入设备及方法。所述离子植入机可包括：静电夹，用以固持衬底；淹没式等离子体枪，产生撞击于所述衬底上的电子通量；以及控制器，耦合至所述淹没式等离子体枪，并包括响应于测量信号而产生控制信号的部件，所述控制信号用以将所述淹没式等离子体枪的操作调整至目标操作水平。在所述目标操作水平上，所述电子通量可包括电子稳定化浓度，所述电子稳定化浓度将所述静电夹中的夹电流变化减小至目标值，所述目标值小于当所述淹没式等离子体枪不操作时的所述夹电流变化的第二值。

公开(公告)号：CN108463872A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201780006590.0

申请日：2017-01-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 麦可·W·奥斯邦 ,  大卫·E·苏若恩 ,  朱利安·G·布雷克

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/425 ,  H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/026 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/30405 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20

Abstract: 一种离子植入机可包括：静电夹，用以固持衬底；淹没式等离子体枪，产生撞击于所述衬底上的电子通量；以及控制器，耦合至所述淹没式等离子体枪，并包括响应于测量信号而产生控制信号的部件，所述控制信号用以将所述淹没式等离子体枪的操作调整至目标操作水平。在所述目标操作水平上，所述电子通量可包括电子稳定化剂量、电子稳定化浓度，所述稳定化浓度将所述静电夹中的夹电流变化减小至目标值，所述目标值小于当所述淹没式等离子体枪不操作时的夹电流变化的第二值。