公开(公告)号：CN102439693A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022632.8

申请日：2010-06-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 班杰明·B·里欧登 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  威廉·T·维弗 ,  查理斯·卡尔森

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01J37/317 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/67213 ,  C23C14/48 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L21/67769 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。

公开(公告)号：CN102439693B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201080022632.8

申请日：2010-06-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 班杰明·B·里欧登 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  威廉·T·维弗 ,  查理斯·卡尔森

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01J37/317 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/67213 ,  C23C14/48 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L21/67769 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。