公开(公告)号：CN103771421B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310467725.7

申请日：2013-10-09

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 安德烈亚斯·希尔施曼 ,  沃尔特·哈克尔 ,  乌韦·佩特佐尔德

IPC: C01B33/107 ,  B01J12/00

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01J4/005 ,  B01J2219/00063 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00159 ,  B01J2219/002 ,  B01J2219/00238

Abstract: 本发明提供了用于反应器中吸热气相反应的方法，其中通过气体入口装置将反应物气体引入到反应器中并借助于气体分布装置均匀地分布到加热区中，其中，在加热区中借助于加热元件将所述反应物气体加热至500-1500℃的平均温度，然后将其引导到反应区中，反应物气体在反应区中反应以提供通过气体出口装置引导出反应器的产物气体。本发明的进一步的主题涉及用于反应器中吸热气相反应的方法，其中通过所述反应区中的温度测量控制加热元件的加热，出于此目的在反应区中设置至少两个温度传感器，以及用于实施该方法的反应器。

公开(公告)号：CN103771421A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310467725.7

申请日：2013-10-09

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 安德烈亚斯·希尔施曼 ,  沃尔特·哈克尔 ,  乌韦·佩特佐尔德

IPC: C01B33/107 ,  B01J12/00

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01J4/005 ,  B01J2219/00063 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00159 ,  B01J2219/002 ,  B01J2219/00238

Abstract: 本发明提供了用于反应器中吸热气相反应的方法，其中通过气体入口装置将反应物气体引入到反应器中并借助于气体分布装置均匀地分布到加热区中，其中，在加热区中借助于加热元件将所述反应物气体加热至500-1500℃的平均温度，然后将其引导到反应区中，反应物气体在反应区中反应以提供通过气体出口装置引导出反应器的产物气体。本发明的进一步的主题涉及用于反应器中吸热气相反应的方法，其中通过所述反应区中的温度测量控制加热元件的加热，出于此目的在反应区中设置至少两个温度传感器，以及用于实施该方法的反应器。

公开(公告)号：CN109963645B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201680090829.2

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 马丁·策特尔 ,  安德烈亚斯·希尔施曼 ,  乌韦·佩措尔德 ,  罗伯特·林

IPC: B01J12/00 ,  B01J19/02 ,  C01B33/107

Abstract: 本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。

公开(公告)号：CN109963645A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201680090829.2

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 马丁·策特尔 ,  安德烈亚斯·希尔施曼 ,  乌韦·佩措尔德 ,  罗伯特·林

IPC: B01J12/00 ,  B01J19/02 ,  C01B33/107

Abstract: 本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。