公开(公告)号：CN109963645B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201680090829.2

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 马丁·策特尔 ,  安德烈亚斯·希尔施曼 ,  乌韦·佩措尔德 ,  罗伯特·林

IPC: B01J12/00 ,  B01J19/02 ,  C01B33/107

Abstract: 本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。

公开(公告)号：CN109963645A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201680090829.2

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 马丁·策特尔 ,  安德烈亚斯·希尔施曼 ,  乌韦·佩措尔德 ,  罗伯特·林

IPC: B01J12/00 ,  B01J19/02 ,  C01B33/107

Abstract: 本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。