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公开(公告)号：CN117457728A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310756029.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括n型半导体衬底、沟槽和经由栅极绝缘膜在沟槽中形成的栅极电极。在该沟槽的角部上形成的栅极绝缘膜的厚度与在该沟槽的底部上形成的栅极绝缘膜的厚度之间的差的绝对值小于在该沟槽的角部上形成的栅极绝缘膜的厚度与在该沟槽的侧壁部上形成的栅极绝缘膜的厚度之间差的绝对值。
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