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公开(公告)号：CN103904893B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310725908.4
申请日：2013-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。
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公开(公告)号：CN108336910A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711402655.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 近藤大介
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及逆变器系统。本公开试图改善包括诸如IGBT的功率晶体管的半导体装置的性能。在半导体装置中，IGBT模块(110)包括彼此并联连接的IGBT元件(SWa、SWb)，连接至IGBT元件(SWa)的栅极端子的电阻器(R1a)，以及并联连接至电阻器(R1a)的二极管(D1a)。在二极管(D1a)中，朝向IGBT元件(SWa)的栅极端子的方向为正向。借助这种配置，能避免栅极振荡并改善开关特性。
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公开(公告)号：CN103904893A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310725908.4
申请日：2013-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/158 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H02M2001/0058 , H03K17/122 , H03K17/164 , H03K2217/0036 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。
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公开(公告)号：CN106341051A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610534252.1
申请日：2016-07-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M5/458 , H01L29/00 , H02M1/08 , H03K17/127 , H03K17/168 , H03K17/567 , H03K17/61 , H03K17/691 , H03K17/7955 , H03K2217/0081 , H02M1/088
Abstract: 本发明提供一种削减安装零件数量的电力变换装置及驱动装置。高边晶体管(TH)及低边晶体管(TL)分别具备EGE(发射极-栅极-发射极)型的构造。高边驱动器(HDV)具备：以高边晶体管(TH)的发射极为基准而向栅极施加正电压VP1的上拉晶体管(UTh)；将栅极与发射极结合的下拉晶体管(DTh)。低边驱动器(LDV)具备：以低边晶体管(TL)的发射极为基准而向栅极施加正电压VP2的上拉晶体管(UTl)；将栅极与发射极结合的下拉晶体管(DTl)。
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