公开(公告)号：CN104347111A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410355631.5

申请日：2014-07-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚 ,  藤原英弘

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C11/417 ,  G11C11/418 ,  G11C17/12

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件，该半导体集成电路器件能够利用开销抑制而生成唯一ID。当生成唯一ID时，SRAM中的存储器单元的字线的电位上升至该SRAM的供电电压以上，并且随后下降至该SRAM的供电电压以下。当该字线的电位高于SRAM的供电电压时，相同数据被提供至存储器单元的两条位线。由此，SRAM中的存储器单元被置入无定义状态并且随后发生变化从而根据形成该存储器单元的元件的特性等保存数据。在制造SRAM时，形成存储器单元的元件的特性等发生变化。因此，SRAM中的存储器单元根据制造中所发生的变化保存数据。

公开(公告)号：CN104347111B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201410355631.5

申请日：2014-07-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚 ,  藤原英弘

IPC: G11C11/413

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件，该半导体集成电路器件能够利用开销抑制而生成唯一ID。当生成唯一ID时，SRAM中的存储器单元的字线的电位上升至该SRAM的供电电压以上，并且随后下降至该SRAM的供电电压以下。当该字线的电位高于SRAM的供电电压时，相同数据被提供至存储器单元的两条位线。由此，SRAM中的存储器单元被置入无定义状态并且随后发生变化从而根据形成该存储器单元的元件的特性等保存数据。在制造SRAM时，形成存储器单元的元件的特性等发生变化。因此，SRAM中的存储器单元根据制造中所发生的变化保存数据。