电平转换器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104348474B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201410386769.1

    申请日:2014-08-07

    Inventor: 神立一弘

    Abstract: 本发明涉及电平转换器。一种电平转换器,其包括高击穿电压第一和第二PMOS晶体管;高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管,该高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管具有分别被供应有第一和第二控制信号的栅极;低击穿电压第一和第二NMOS晶体管,该低击穿电压第一和第二NMOS晶体管具有分别被供应有第三和第四控制信号的栅极;以及时序控制单元,该时序控制单元生成与输入信号的反转信号相对应的第一控制信号和与第一控制信号不同的第三控制信号,并且生成与输入信号的非反转信号相对应的第二控制信号和与第二控制信号不同的第四控制信号。

    击穿电压控制电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118054775A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202311366371.7

    申请日:2023-10-20

    Inventor: 神立一弘

    Abstract: 一种击穿电压控制电路,包括:高电压监测电路;以及第一电压切换电路1112,其连接到高电压监测电路,该高电压监测电路基于被输入到该高电压监测电路的输入信号生成第一参考信号,第一电压切换电路将被施加到该第一电压切换电路的第一施加电压与第一参考信号进行比较,当第一施加电压被超过时,输出第一参考信号作为第一控制信号,并且当第一参考信号的电压小于第一施加电压时,输出第一施加电压作为第一控制信号。

    电平转换器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104348474A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410386769.1

    申请日:2014-08-07

    Inventor: 神立一弘

    Abstract: 本发明涉及电平转换器。一种电平转换器,其包括高击穿电压第一和第二PMOS晶体管;高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管,该高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管具有分别被供应有第一和第二控制信号的栅极;低击穿电压第一和第二NMOS晶体管,该低击穿电压第一和第二NMOS晶体管具有分别被供应有第三和第四控制信号的栅极;以及时序控制单元,该时序控制单元生成与输入信号的反转信号相对应的第一控制信号和与第一控制信号不同的第三控制信号,并且生成与输入信号的非反转信号相对应的第二控制信号和与第二控制信号不同的第四控制信号。

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