公开(公告)号：CN108666225B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201810130900.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵 ,  磯崎诚也

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。为了提供具有改进的可靠性的半导体装置。制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。

公开(公告)号：CN108666225A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810130900.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵 ,  磯崎诚也

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。为了提供具有改进的可靠性的半导体装置。制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。