公开(公告)号：CN108666225B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201810130900.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵 ,  磯崎诚也

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。为了提供具有改进的可靠性的半导体装置。制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。

公开(公告)号：CN108666225A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810130900.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵 ,  磯崎诚也

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。为了提供具有改进的可靠性的半导体装置。制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。

公开(公告)号：CN108242408A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711425972.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵

IPC: H01L21/60

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。实现了一个紧凑和高可靠性的半导体装置。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线以及位于跨越半导体芯片的中心面对浇口的通气口附近的接合线具有向半导体芯片内下降的环形形状，具有比其它接合线弱的拉力(张力)，并且以一定的余量被松弛地拉伸。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线例如是分别要与第一电极焊盘和第五电极焊盘连接的第一导线和第五导线。而在模塑步骤中位于通气口附近的接合线例如是分别要与第三电极焊盘和第七电极焊盘连接的第三导线和第七导线。

公开(公告)号：CN108242408B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201711425972.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵

IPC: H01L21/60

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。实现了一个紧凑和高可靠性的半导体装置。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线以及位于跨越半导体芯片的中心面对浇口的通气口附近的接合线具有向半导体芯片内下降的环形形状，具有比其它接合线弱的拉力(张力)，并且以一定的余量被松弛地拉伸。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线例如是分别要与第一电极焊盘和第五电极焊盘连接的第一导线和第五导线。而在模塑步骤中位于通气口附近的接合线例如是分别要与第三电极焊盘和第七电极焊盘连接的第三导线和第七导线。

公开(公告)号：CN108987295A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810543261.6

申请日：2018-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳生祐贵

IPC: H01L21/60

Abstract: 本公开涉及制造半导体装置的方法。本发明：可以提高半导体装置的可靠性；并提供一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片具有焊盘电极、包含铜的第一导电层、光致抗蚀剂膜和包含金的第二导电层，(b)在所述第二导电层的表面上形成包含碘的保护膜，(c)去除所述光致抗蚀剂膜，(d)用氩离子照射所述保护膜并去除所述保护膜，以及(e)使接合线的一部分与所述第二导电层的表面接触。