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公开(公告)号：CN115841833A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211027059.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C5/14
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。本发明的目的是提供一种并入在半导体装置中的静态随机存取存储器(SRAM)，其可以在维持正常操作中的写入特性和读取特性的同时减小泄漏电流。该半导体装置包括用于生成第一电源电位的第一调节器，用于生成比第一电源电位低的第二电源电位的第二调节器，以及具有正常操作模式和恢复备用模式的静态随机存取存储器(SRAM)。SRAM包括接收第一电源电位和第二电源电位的电源开关电路，以及包括多个存储器单元的存储器阵列。当SRAM处于正常操作模式时，电源开关电路被控制以使得从电源开关电路向存储器阵列供应第一电源电位，并且当SRAM处于恢复备用模式时，从电源开关电路向存储器阵列供应第二电源电位。
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