公开(公告)号：CN104580951A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410554816.9

申请日：2014-10-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 相原康敏 ,  村尾文秀

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/355

CPC classification number: H04N5/37455 ,  H04N5/351 ,  H04N5/378

Abstract: 一种作为固态图像传感器件使用的CMOS图像传感器，包括用于输出对应于照度的等级的电压的像素电路、以及用于将像素电路的输出电压转换成数字信号的A/D转换器。在A/D转换器中低照度侧的分辨率高于高照度侧的分辨率。因此，相比于分辨率与照度无关而固定的情况，能够增大动态范围并且能够提高工作速度。

公开(公告)号：CN104660928A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410691502.3

申请日：2014-11-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木淳史 ,  相原康敏

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/37452 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/363 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明涉及成像器件。通过在存储电容元件中存储从浮置扩散溢出的电荷并抑制如果通过MOS电容器形成存储电容元件而发生的像素面积的增大，提供一种能确保CMOS成像传感器的动态范围的成像器件。成像器件包括在行方向和列方向上布置的多个像素电路，以及在行方向上布置并在列方向上延伸的多个存储电容线。各个存储电容线耦合至在相同列中布置的像素电路。像素电路包括存储通过经受光而产生的电荷的第一光电转换元件，第一光电转换元件中存储的电荷被传输到的浮置扩散，以及耦合浮置扩散和存储电容线的第一开关晶体管。