公开(公告)号：CN101898328B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010170037.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白谷昌史 ,  吉田茂之 ,  伊藤修

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017

Abstract: 本发明提供一种抛光设备及抛光方法。该抛光设备，包括：抛光台，所述抛光台具有在上表面上的抛光垫；修整盘，所述修整盘实施对抛光垫的修整；移动机构(例如，由摆动臂来构造)，所述移动机构能够将修整盘移动到抛光垫上方的待机位置；以及喷射机构(例如，由清洗水喷嘴来构造)，所述喷射机构向位于待机位置的修整盘喷射液体，以便清洗或湿润修整盘。

公开(公告)号：CN101140857B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200710148253.3

申请日：2007-09-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白谷昌史 ,  森田朋岳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: B24B37/042 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：(a)获得抛光目标的表面，其中暴露绝缘膜和金属膜(S20) 和(b)抛光具有暴露的绝缘膜和暴露的金属膜的该表面(S30、S40)。步骤(b)包括：(b1)在高摩擦力条件下抛光该表面(S30)，和(b2)在步骤(b1)之后，在比该高摩擦力低的普通摩擦力条件下，抛光该表面(S40)。

公开(公告)号：CN101898328A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010170037.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白谷昌史 ,  吉田茂之 ,  伊藤修

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017

Abstract: 本发明提供一种抛光设备及抛光方法。该抛光设备，包括：抛光台，所述抛光台具有在上表面上的抛光垫；修整盘，所述修整盘实施对抛光垫的修整；移动机构(例如，由摆动臂来构造)，所述移动机构能够将修整盘移动到抛光垫上方的待机位置；以及喷射机构(例如，由清洗水喷嘴来构造)，所述喷射机构向位于待机位置的修整盘喷射液体，以便清洗或湿润修整盘。