公开(公告)号：CN114512492A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111281567.7

申请日：2021-11-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 王彦哲

IPC: H01L27/1157 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开涉及半导体器件。存储器栅极经由作为存储器元件的栅极绝缘体的绝缘膜形成在半导体衬底上。绝缘膜包括第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在第二绝缘膜上的第三绝缘膜和在第三绝缘膜上的第四绝缘膜。第二绝缘膜是具有电荷累积功能的绝缘膜。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每个的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第三绝缘膜由包含金属元素和氧的高介电常数材料形成。第四绝缘膜是氧化硅膜或氮氧化硅膜并且与存储器栅极电极相邻。

公开(公告)号：CN118553761A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410117740.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 王彦哲 ,  中西翔

IPC: H01L29/06

Abstract: 从抗氧化掩膜层暴露的半导体衬底被热氧化以形成场氧化层。掩膜层具有带有第一宽度的多个掩膜部分和带有比第一宽度小的第二宽度的多个掩膜部分。在热氧化过程中，氧化物膜与场氧化物膜被整体地形成在掩膜部分之下，并且氧化物膜与场氧化物膜被整体地形成在掩膜部分之下。在除去掩膜层之后，通过使用场氧化物膜作为掩膜的到半导体衬底中的离子注入，多个p型半导体区域被形成。多个p型半导体区域包括形成在氧化物膜之下的第一半导体区域和形成在氧化物膜之下的第二半导体区域，并且第二半导体区域的深度浅于第一半导体区域的深度。