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发明公开
半导体器件以及半导体器件的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN112103288A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010431545.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 清水二二男 , 可知刚 , 吉田芳规

IPC: H01L27/06 , H01L27/02 , H01L21/82

Abstract: 本公开的实施例涉及一种具有绝缘栅极场效应晶体管的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。在半导体衬底(SUB)的一个主表面侧的第一区域内限定的单元区域EFR中，形成绝缘栅极型场效应晶体管(MFET)；在第一区域内限定的栅极焊盘区域GPR中，限定形成缓冲电路SNC的缓冲区域SNR。在第一区域和第二区域内，形成彼此间隔开的第一深沟槽和第二深沟槽，并且在第二区域中形成的多个第二深沟槽的至少一个宽度，小于在第二区域中形成的第一深沟槽的宽度。

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