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公开(公告)号：CN117316995A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310543092.7
申请日：2023-05-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：位于有源单元区域的一端和无源单元区域之间的边界处的沟槽发射极电极、位于有源单元区域的另一端和无源单元区域之间的边界处的沟槽栅极电极、连接到沟槽栅极电极的一端的端沟槽栅极电极，以及连接到沟槽发射极电极的一端的端沟槽发射极电极。在平面图中，在端沟槽栅极电极与端沟槽发射极电极之间的第二导电类型的主体区域下方，提供第一导电类型的空穴阻挡区域。有源单元区域中的主体区域和无源单元区域中的主体区域，通过端沟槽栅极电极与端沟槽发射极电极之间的主体区域相互连接。
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