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公开(公告)号：CN117936540A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311252181.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/77
Abstract: 一种包括振荡电路的半导体器件，其包括在半导体衬底上形成的具有晕圈区域的MISFET和在该半导体衬底上形成的不具有晕圈区域的多个MISFET。该不具有晕圈区域的多个MISFET的栅极电极彼此电连接。在该振荡电路中包括的晶体管对中使用不具有晕圈区域的多个MISFET。
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