公开(公告)号：CN102683172B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210065366.8

申请日：2012-03-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  京野敬 ,  山本力 ,  本沢辉一 ,  前田实太 ,  伊藤广志

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6875 ,  Y10S438/974

Abstract: 公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。

公开(公告)号：CN102683172A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210065366.8

申请日：2012-03-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  京野敬 ,  山本力 ,  本沢辉一 ,  前田实太 ,  伊藤广志

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6875 ,  Y10S438/974

Abstract: 公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。