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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116705760A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202211699822.4

申请日：2022-12-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 工藤章太郎

IPC: H01L23/538 , H01L21/768

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括半导体衬底(SUB)上的绝缘层(IFL)、该绝缘层(IFL)上的导电膜(PL)、覆盖该导电膜(PL)的层间绝缘膜(IL)、该层间绝缘膜(IL)、该导电膜(PL)和该绝缘层(IFL)中的接触孔(CH1)、以及嵌入该接触孔(CH1)中的插塞(PG1)。该层间绝缘膜(IL)的侧表面与该导电膜(PL)的侧表面分离以暴露该导电膜(PL)的上表面的一部分，并且该绝缘层(IFL)的该侧表面与该导电膜(PL)的该侧表面分离以暴露该导电膜(PL)的下表面的一部分。从该导电膜(PL)的该下表面到该接触孔(CH1)的该底部的距离(L1)比从该导电膜(PL)的该侧表面到该层间绝缘膜(IL)的该侧表面的距离(L2)长。

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