公开(公告)号：CN117133798A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310583713.4

申请日：2023-05-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小泽航大 ,  中西翔

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：引线、半导体衬底、在半导体衬底和引线之间提供的背面电极，以及被配置成连接背面电极和引线的焊料层。背面电极包括：在半导体衬底的背面上形成的硅化物层、在引线上形成的键合层、在键合层上形成的阻挡层，以及在硅化物层和阻挡层之间形成的应力缓和层。应力缓和层由包含铝作为主要组分的第一金属膜或包含金、银或铜作为主要组分的第二金属膜制成。

公开(公告)号：CN114447122A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111057034.0

申请日：2021-09-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小泽航大 ,  中西翔

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/41

Abstract: 本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括：具有主表面和形成在主表面上的第一杂质区域的半导体衬底、形成在具有第一杂质区域的主表面上的第一电极、形成在主表面上以包围第一电极的绝缘膜、形成在绝缘膜上以与第一电极间隔开并且环形地包围第一电极的第二电极、以及半绝缘膜。第一电极具有外周边缘部分。从外周边缘部分上到第二电极上连续形成半绝缘膜。外周边缘部分包括第一角部。第二电极具有面向第一角部的第二角部。在第一角部与第二角部之间的绝缘膜上的半绝缘膜被去除。

公开(公告)号：CN119008668A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410416772.7

申请日：2024-04-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小泽航大

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种能够抑制击穿电压的变化的半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一电极和第二电极和半绝缘膜。该半导体衬底具有第一表面。在平面图中，该半导体衬底具有元件区和围绕该元件区的终端区。该半导体衬底具有形成在该终端区中的第一表面上的第一杂质区。在平面图中，该半绝缘膜被设置为在该第一电极与该第二电极之间的该绝缘膜之上延伸。该半绝缘膜包括硅和氮。

公开(公告)号：CN118039586A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311231209.4

申请日：2023-09-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小泽航大 ,  中西翔

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件的制造方法包括：(a)制备第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有上表面和下表面；(b)在(a)之后，在半导体衬底的上表面上形成层间介电膜；(c)在(b)之后，在层间介电膜上形成基膜；(d)在(c)之后，在基膜上形成第一导电膜；(e)在(d)之后，将第一导电膜图案化以形成第一布线以及与第一布线相邻的第二布线；以及(f)在(e)之后，去除位于第一布线和第二布线之间的基膜。构成基膜的材料不同于构成第一导电膜的材料。

公开(公告)号：CN116631856A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202211684551.5

申请日：2022-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中西翔 ,  小泽航大

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种用于增强半导体衬底与覆盖其背表面的背表面电极之间的粘附性的技术。特别地，该增强粘附性技术包括：提供具有主表面和与主表面相对的背表面的半导体衬底SB，背表面包括n型硅；在半导体衬底SB的背表面上形成第一金属层，第一金属层包括镍和钒，钒的热扩散系数小于镍的热扩散系数；对半导体衬底执行热处理，以使半导体衬底中包含的硅与第一金属层中包含的镍反应以形成与半导体衬底的背表面接触的NiSiV；以及在NiSiV层上形成包含钛的第二金属。