公开(公告)号：CN105895669A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610086021.9

申请日：2016-02-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大西贞之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/72

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/72 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1004

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，本发明的课题在于提高半导体器件的可靠性。在半导体衬底(SUB)上形成有p型阱(PW1)，在p型阱(PW1)内彼此分离地形成有n+型半导体区域(NR1)和p+型半导体区域(PR1)。n+型半导体区域(PR1)是双极型晶体管的发射极用的半导体区域，p型阱(PW1)及p+型半导体区域(PR1)是双极型晶体管的基极用的半导体区域。在n+型半导体区域(NR1)和p+型半导体区域(PR1)之间的元件隔离区域(LS)上形成有电极(FP)，电极(FP)的至少一部分埋入在形成于元件隔离区域(LS)的槽(TR)内。电极(FP)与n+型半导体区域(NR1)电连接。

公开(公告)号：CN205542791U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201620121234.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大西贞之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/72

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，本实用新型的课题在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底、第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、元件隔离绝缘膜、第一电极、层间绝缘膜、第一插塞、第二插塞及第三插塞等。在半导体衬底(SUB)上形成有p型阱(PW1)，在p型阱(PW1)内彼此分离地形成有n+型半导体区域(NR1)和p+型半导体区域(PR1)。n+型半导体区域(PR1)是双极型晶体管的发射极用的半导体区域，p型阱(PW1)及p+型半导体区域(PR1)是双极型晶体管的基极用的半导体区域。在n+型半导体区域(NR1)和p+型半导体区域(PR1)之间的元件隔离区域(LS)上形成有电极(FP)，电极(FP)的至少一部分埋入在形成于元件隔离区域(LS)的槽(TR)内。电极(FP)与n+型半导体区域(NR1)电连接。