公开(公告)号：CN102208429B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201110082503.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻内干夫 ,  多留谷政良 ,  竹内阳介

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种阻挡外部磁场的磁屏蔽效果优良的半导体器件和半导体器件组件。该半导体器件包括：层间绝缘膜，形成为覆盖半导体衬底的主表面之上形成的切换元件；平板状引出布线；耦合布线，将引出布线与切换元件相互耦合；以及磁阻元件，包括磁化定向可变的磁化自由层并且形成于引出布线之上。该半导体器件具有可以用来改变磁化自由层的磁化状态的布线和另一布线。在多个磁阻元件布置于其中的存储器单元区域中，布置于磁阻元件上方的第一高导磁率膜从存储器单元区域一直延伸到作为除了存储器单元区域之外的区域的外围区域。

公开(公告)号：CN102208429A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110082503.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻内干夫 ,  多留谷政良 ,  竹内阳介

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种阻挡外部磁场的磁屏蔽效果优良的半导体器件和半导体器件组件。该半导体器件包括：层间绝缘膜，形成为覆盖半导体衬底的主表面之上形成的切换元件；平板状引出布线；耦合布线，将引出布线与切换元件相互耦合；以及磁阻元件，包括磁化定向可变的磁化自由层并且形成于引出布线之上。该半导体器件具有可以用来改变磁化自由层的磁化状态的布线和另一布线。在多个磁阻元件布置于其中的存储器单元区域中，布置于磁阻元件上方的第一高导磁率膜从存储器单元区域一直延伸到作为除了存储器单元区域之外的区域的外围区域。