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公开(公告)号：CN103681667A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310410073.3
申请日：2013-09-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L27/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L25/16 , H01L27/0211 , H01L27/0251 , H01L27/0296 , H01L27/0629 , H01L27/0676 , H01L29/866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中，且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。
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公开(公告)号：CN103681667B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201310410073.3
申请日：2013-09-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L27/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L25/16 , H01L27/0211 , H01L27/0251 , H01L27/0296 , H01L27/0629 , H01L27/0676 , H01L29/866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中，且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。
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公开(公告)号：CN101262173B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810080685.X
申请日：2008-03-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 外村文男
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明的电源电路包括升压电容器、第一开关、第二开关、加法比较电路和控制电路。第一开关通过施加第一电压到升压电容器来对升压电容器进行充电。第二开关将第二电压串联连接到已被充电的升压电容器，从而升压其中的电压。加法比较电路将升压电容器的电压与第二电压相加，并且将比较结果与预定阈值进行比较。控制电路根据相加比较电路的比较结果来控制第一开关的开/关状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872207B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010169110.2
申请日：2010-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 外村文男
IPC: G05F1/46
CPC classification number: G05F1/569
Abstract: 本发明涉及一种电压调节器电路。对半导体器件来说需要减少突入电流和过冲。根据本发明的电压调节器电路，当电源被导通时，响应于控制信号(CTR1)导通开关SW1，开关SW2断开，并且基准电压(Vref)作为公共电压被输入差分放大器(AMP1)的第一(+IN)和第二(-IN)输入。当公共电压被提供给第一(+IN)和第二(-IN)输入时，经由差分放大器(AMP1)从高压电源(VDD)流入平滑电容器(C1)的电流(I)被调节为小。即，能够减少突入电流。此外，根据本发明的电压调节器电路(30)，缓解了来自于差分放大器(AMP1)的输出电压(Vout)的增加从而能够抑制过冲。
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公开(公告)号：CN101997548A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010243215.8
申请日：2010-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 外村文男
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及一种D-A转换器。所述D-A转换器包括：电阻器串，该电阻器串生成包括上限电压、下限电压以及中间电压的多个电压；第一选择器，该第一选择器根据较低位来选择和输出多个电压当中的第一电压，所述第一电压是从中间电压和低于该中间电压的电压中选择的；第二选择器，该第二选择器根据较高位来选择和输出第二电压，所述第二电压是较低的电源电压和中间电压中的一个，或者是高于中间电压的电压；第三选择器，该第三选择器根据较高位来选择和输出第三电压，所述第三电压是从下限电压和较低的电源电压之中选择的；以及放大器，该放大器将第一电压和第二电压相加，并且减去第三电压。
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公开(公告)号：CN101551986B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910132580.9
申请日：2009-04-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 外村文男
CPC classification number: G09G3/006 , G09G3/3648 , G09G3/3696 , G09G2320/046 , G09G2330/027
Abstract: 本发明涉及显示装置的驱动电路和驱动电路的测试电路以及测试方法。驱动电路(100)，其在高负电压和高正电压之间的电压范围内驱动显示面板(10)，包括：电荷放电电路(33，52)；和测试外部端子(6，7)。该电荷放电电路(33，52)响应于电源电压的下降将被供有高负电压的第一端子(4)连接至接地电压的第二端子(2)。该测试外部端子(6，7)被连接至电荷放电电路(33，52)。高负电压被供给半导体基板。电荷放电电路(33，52)基于来自于测试外部端子(6，7)的控制信号中断第一端子(4)和第二端子(2)之间的连接。
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公开(公告)号：CN102298897A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110179936.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 外村文男
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3614 , G09G2310/0248 , G09G2310/0291 , G09G2320/0233 , G09G2330/023 , G09G2330/025
Abstract: 本发明提供一种驱动电路、驱动方法、以及显示装置，该驱动电路包括PDAC和NDAC，该PDAC和NDAC根据灰阶数据分别选择正灰阶电压和负灰阶电压；正Amp和负Amp；输出选择开关，该输出选择开关反转正Amp和负Amp的输出；输出开关，该输出开关在切换时段期间进行切换以从数据线断开连接放大器输出；电荷共享开关，该电荷共享开关在切换时段期间短路数据线；以及数据选择器电路，该数据选择器电路在切换时段期间将放大器输入设置为不依赖于与用于显示的灰阶数据相对应的灰阶电压的固定电压。
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公开(公告)号：CN101872207A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010169110.2
申请日：2010-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 外村文男
IPC: G05F1/46
CPC classification number: G05F1/569
Abstract: 本发明涉及一种电压调节器电路。对半导体器件来说需要减少突入电流和过冲。根据本发明的电压调节器电路，当电源被导通时，响应于控制信号(CTR1)导通开关SW1，开关SW2断开，并且基准电压(Vref)作为公共电压被输入差分放大器(AMP1)的第一(+IN)和第二(-IN)输入。当公共电压被提供给第一(+IN)和第二(-IN)输入时，经由差分放大器(AMP1)从高压电源(VDD)流入平滑电容器(C1)的电流(I)被调节为小。即，能够减少突入电流。此外，根据本发明的电压调节器电路(30)，缓解了来自于差分放大器(AMP1)的输出电压(Vout)的增加从而能够抑制过冲。
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