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公开(公告)号：CN108010911A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711031536.X
申请日：2017-10-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。包括鳍式低耐压晶体管和鳍型高耐压晶体管的半导体器件的性能得到改善。在通过第一元件隔离膜彼此隔离的多个第一鳍中的每一个上形成低耐压晶体管，以及形成高耐压晶体管，该高耐压晶体管具有包括多个第二鳍的顶部和侧表面的沟道区域和在彼此相邻的第二鳍之间的半导体衬底的顶部。此时，围绕包括一个高耐压晶体管的沟道区域的一部分的第二鳍的第二元件隔离膜的顶部低于第一元件隔离膜的顶部。
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