公开(公告)号：CN107818976B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201710784798.7

申请日：2017-09-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 儿玉荣介

IPC: H01L27/02

Abstract: 在包括电阻元件的半导体器件中设置有静电保护元件，所述静电保护元件包括将所述电阻元件作为组成元件的寄生双极晶体管。换言之，替代在半导体器件中设置专用静电保护元件，通过使用在半导体器件中设置的电阻元件，也可以实现静电保护元件的功能。

公开(公告)号：CN105830209A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480030385.4

申请日：2014-11-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 儿玉荣介

IPC: H01L21/82

Abstract: 防止通过激光修整切断后的熔丝元件由于具有导电性的残留物等而漏电。作为用于此的方案，在外延基板的主面上的槽内的元件分离区域上形成熔丝元件的情况下，在元件分离区域与熔丝元件之间形成导热率高且比较而言密合性低的绝缘膜。在进行激光修整以将熔丝元件切断时，将熔丝元件的一部分和熔丝元件的该一部分之下的绝缘膜去除。

公开(公告)号：CN105830209B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201480030385.4

申请日：2014-11-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 儿玉荣介

IPC: H01L21/82

Abstract: 防止通过激光修整切断后的熔丝元件由于具有导电性的残留物等而漏电。作为用于此的方案，在外延基板的主面上的槽内的元件分离区域上形成熔丝元件的情况下，在元件分离区域与熔丝元件之间形成导热率高且比较而言密合性低的绝缘膜。在进行激光修整以将熔丝元件切断时，将熔丝元件的一部分和熔丝元件的该一部分之下的绝缘膜去除。

公开(公告)号：CN107818976A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710784798.7

申请日：2017-09-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 儿玉荣介

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/067 ,  H01L27/0772 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0296

Abstract: 在包括电阻元件的半导体器件中设置有静电保护元件，所述静电保护元件包括将所述电阻元件作为组成元件的寄生双极晶体管。换言之，替代在半导体器件中设置专用静电保护元件，通过使用在半导体器件中设置的电阻元件，也可以实现静电保护元件的功能。