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1.

发明授权
使用多个电源电压的半导体器件失效转让

公开(公告)号：CN101329899B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810108820.7

申请日：2008-05-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥弘行 , 中川敦

IPC: G11C11/4074 , G11C11/406

Abstract: 本发明涉及使用多个电源电压的半导体器件。所述半导体器件包括：第一存储器(2)；以及电压调整部(5)，其被配置为接收第一电压、比所述第一电压高的第二电压和比所述第二电压高的第三电压。所述第一存储器(2)包括：存储器单元(26)，其被配置为连接到字线和位线；字线驱动电路(21)，其被配置为驱动所述字线；以及读出放大器(SA)，其被配置为感测在所述存储器单元(26)中存储的信息。所述电压调整部(5)包括：电压修改电路(10)，其被配置为以预定模式降低或者升高所述第三电压，以产生比所述第二电压高的第四电压，并且向所述读出放大器(SA)或者所述字线驱动电路(21)供应所述第四电压。

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