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公开(公告)号：CN113955712A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111160920.6
申请日：2021-09-30
申请人： 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 , 瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明提出一种导电结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：制备框架，所述框架包括静态框架和移动板；制备移动板，所述移动板能够相对于所述静态框架移动；采用MEMS工艺制备导电连接件；组装所述导电连接件，所述导电连接件包括分别与所述静态框架及所述移动板耦接的端部以及连接于所述端部之间的导线。利用传统工艺制备静态框架及移动板，利用MEMS工艺制备导电连接件，有效利用了不同工艺的有点，降低了导电结构的制作难度、成本，易于小型化及集成化。
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公开(公告)号：CN112158795B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011049871.4
申请日：2020-09-29
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层表面粗糙度较大的第一膜层，然后采用全刻蚀的方法对第一膜层刻蚀，此时，全刻蚀掉第一膜层后，第一硅平面层远离衬底基板的表面的粗糙度变大，然后再利用刻蚀的方式在第一硅平面层远离衬底基板的表面上进行刻蚀，产生凹槽和凸起，凸起的表面则具有粗糙的表面，形成具有粗糙表面的硅片。当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件不能使用的概率。
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公开(公告)号：CN114314501B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111630653.4
申请日：2021-12-28
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，并提供一种MEMS腔体结构的形成方法，可以提高关于MEMS结构的功能稳定性和可靠性的MEMS集成和封装的工艺良率。该方法包括步骤：在底层上形成粘附材料层；在所述粘附材料层上形成支撑结构和在由所述支撑结构围成的空间中填充牺牲层；在所述支撑结构和所述牺牲层上形成封盖层，所述底层、所述支撑结构和所述封盖层共同形成腔体；以及释放所述牺牲层和所述粘附材料层，以形成所述腔体结构。
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公开(公告)号：CN111762751B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010642924.7
申请日：2020-07-06
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS导电件以及导电镀层的制备方法，MEMS导电件由若干个导电单元组成，导电单元包括定构件、可相对定构件往复运动的动构件、以及多组电连接动构件和所述定构件的导电镀层，动构件包括第一围壁和与第一围壁连接的第二围壁，定构件包括与第一围壁相对设置的第三围壁和与第三围壁连接并相对第二围壁设置的第四围壁，多组导电镀层间隔设置且自第一围壁延伸至第三围壁；该MEMS导电件通过合理设置动构件和定构件的结构，以及通过多组导电镀层电连接定构件和动构件，从而能够允许所传输信号的两端元件(定构件和动构件)相对发生自由的位移同时传输电信号。
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公开(公告)号：CN111203375B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911416898.X
申请日：2019-12-31
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
IPC分类号： B06B1/06 , H01L41/09 , H01L41/25 , H01L41/332
摘要： 本发明涉及压电换能器领域，提供了一种换能器，所述换能器包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆均包括基底、固定在所述基底一侧的第一氧化物层、固定在所述基底另一侧的金属层、以及在所述第一氧化物层上依次沉积形成的氮化硅层、第一电极、压电层和第二电极，所述基底包括第一硅层、第二硅层和夹设于所述第一硅层和第二硅层之间的第二氧化物层；所述第一晶圆的金属层和所述第二晶圆的金属层固定连接；所述第一晶圆设有空腔和缝隙，所述第二晶圆设有空腔、第一缝隙和第二缝隙。同时，本发明还提供一种换能器的制作方法。与现有技术相比，通过两个晶圆设计，将SPL提升两倍，同时增加结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN112158796B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011053233.X
申请日：2020-09-29
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时，容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层，然后采用XeF2气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀，XeF2气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时，不规则的刻蚀第一硅平面层，因此，经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大，因此，当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件无法使用的概率。
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公开(公告)号：CN114314501A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630653.4
申请日：2021-12-28
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，并提供一种MEMS腔体结构的形成方法，可以提高关于MEMS结构的功能稳定性和可靠性的MEMS集成和封装的工艺良率。该方法包括步骤：在底层上形成粘附材料层；在所述粘附材料层上形成支撑结构和在由所述支撑结构围成的空间中填充牺牲层；在所述支撑结构和所述牺牲层上形成封盖层，所述底层、所述支撑结构和所述封盖层共同形成腔体；以及释放所述牺牲层和所述粘附材料层，以形成所述腔体结构。
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公开(公告)号：CN112158796A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011053233.X
申请日：2020-09-29
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时，容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层，然后采用XeF2气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀，XeF2气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时，不规则的刻蚀第一硅平面层，因此，经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大，因此，当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件无法使用的概率。
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公开(公告)号：CN112158795A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011049871.4
申请日：2020-09-29
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层表面粗糙度较大的第一膜层，然后采用全刻蚀的方法对第一膜层刻蚀，此时，全刻蚀掉第一膜层后，第一硅平面层远离衬底基板的表面的粗糙度变大，然后再利用刻蚀的方式在第一硅平面层远离衬底基板的表面上进行刻蚀，产生凹槽和凸起，凸起的表面则具有粗糙的表面，形成具有粗糙表面的硅片。当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件不能使用的概率。
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公开(公告)号：CN111762751A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010642924.7
申请日：2020-07-06
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS导电件以及导电镀层的制备方法，MEMS导电件由若干个导电单元组成，导电单元包括定构件、可相对定构件往复运动的动构件、以及多组电连接动构件和所述定构件的导电镀层，动构件包括第一围壁和与第一围壁连接的第二围壁，定构件包括与第一围壁相对设置的第三围壁和与第三围壁连接并相对第二围壁设置的第四围壁，多组导电镀层间隔设置且自第一围壁延伸至第三围壁；该MEMS导电件通过合理设置动构件和定构件的结构，以及通过多组导电镀层电连接定构件和动构件，从而能够允许所传输信号的两端元件(定构件和动构件)相对发生自由的位移同时传输电信号。
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