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公开(公告)号：CN110696149B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910609600.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B28B1/30 , B28B1/32 , C09D183/07 , C08L83/04
Abstract: 本发明提供一种陶瓷生片的剥离性优异的陶瓷生片制造工序用剥离膜。所述陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)具备基材(11)与剥离剂层(12)，其中，剥离剂层(12)由含有活性能量射线固化性成分(A)、具有倍半硅氧烷骨架的化合物(B)及光聚合引发剂(C)的剥离剂组合物形成，所述活性能量射线固化性成分(A)由1分子中平均具有至少3个(甲基)丙烯酰基的含羟基(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及1分子中具有至少1个羟基的直链状的二甲基有机聚硅氧烷(a3)反应而成，所述活性能量射线固化性成分(A)不具有倍半硅氧烷骨架。
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公开(公告)号：CN105189068B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380074564.3
申请日：2013-12-27
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B28B1/30 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B2307/538 , B32B2307/748 , B32B2457/16
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜的特征在于，其具备具有第1面和第2面的基材、和在所述第1面上设置的平滑化层、和在所述平滑化层的与所述基材相反的面一侧设置的剥离剂层，通过将含有质量平均分子量为950以下的热固化性化合物的平滑化层形成用组合物加热使其固化从而形成所述平滑化层，所述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra1为8nm以下，且其最大突起高度Rp1为50nm以下。根据本发明能够提供，能够防止印刷电路基板表面上产生针孔等、能够制造可靠性高的印刷电路基板的印刷电路基板制造用剥离膜。
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公开(公告)号：CN106132685A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580017694.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B7/00 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B9/00 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/40 , C08G18/61 , C08G18/67 , C08G18/73 , C08G18/28
CPC classification number: B32B27/00 , B32B7/00 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B9/00 , B32B27/06 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/40 , B32B2307/748 , C08G18/289 , C08G18/61 , C08G18/673 , C08G18/73 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)，其具备基材(1)；及剥离剂层(12)，设置于基材的第1面(111)，其中，剥离剂层(12)由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；活性能量射线固化性成分(A)通过使在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基的含羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及在一个分子中具有至少一个羟基且质均分子量为500～8000的直链状二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以使(a3)的量相对于(a1)、(a2)及(a3)的合计量以质量比计成为0.01～0.10的方式反应而成；剥离剂层(12)的厚度、剥离剂层的面(121)的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)、以及基材的第2面(112)的算术平均粗糙度(Ra2)及最大突起高度(Rp2)在规定范围内。
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公开(公告)号：CN103476896B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280015624.X
申请日：2012-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种剥离剂组合物，其含有：聚有机硅氧烷（A），其1分子中具有至少2个烯基、且在硅氧烷骨架中的至少1个硅原子的两侧链上具有芳基；聚有机硅氧烷（B），其不具有芳基、且在1分子中仅两个末端具有烯基；以及，支链状有机硅氧烷低聚物（C），其不具有芳基、但具有包含有机硅氧烷骨架的支链、且在1分子中具有至少2个烯基；聚有机硅氧烷（A）相对于聚有机硅氧烷（A）和支链状有机硅氧烷低聚物（C）的合计量的固体成分比率为40～98质量%，聚有机硅氧烷（B）相对于聚有机硅氧烷（A）、聚有机硅氧烷（B）和支链状有机硅氧烷低聚物（C）的合计量的固体成分比率为2～60质量%。
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公开(公告)号：CN105102194A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380075174.8
申请日：2013-12-27
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C09D135/02 , B28B1/30 , C09J7/401 , C09J2205/31 , C09J2433/005 , C08F222/1006 , C08F2230/085
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜的特征在于，具有基材和剥离剂层，通过向将剥离剂层形成用材料涂布于第1面形成的涂布层照射活化能射线形成剥离剂层，所述剥离剂层形成用材料含有活化能射线固化性化合物(A)、聚有机硅氧烷(B)、和碳纳米材料(C)，所述活化能射线固化性化合物(A)具有从(甲基)丙烯酰基、链烯基和马来酰亚胺基组成的组选择的至少1种反应性官能团，剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra1为8nm以下，并且剥离剂层的所述外表面的最大突起高度Rp1为50nm以下。根据本发明能够提供，能够防止印刷电路基板的表面上产生针孔或局部厚度不均等、制造可靠性高的印刷电路基板的印刷电路基板制造用剥离膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104245263A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021204.7
申请日：2013-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C09D135/02 , B28B1/30 , C08G77/442 , C08L2203/16 , C09D143/04 , C09D183/10 , Y10T428/24355 , B32B27/00
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜，其特征在于，其具备：具有第1面和第2面的基材；和通过将含有活化能射线固化性化合物(a1)和聚有机硅氧烷(b1)的材料涂布于所述基材的第1面侧并将其固化而形成的剥离剂层；和通过将含有活化能射线固化性化合物(a2)的材料涂布于基材的第2面侧并将其固化而形成的背面涂布层；剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra2在8nm以下，并且其最大突起高度Rp2在50nm以下；背面涂布层的外表面的算术平均粗糙度Ra3为5～40nm，并且其最大突起高度Rp3为60～500nm。根据本发明，能够抑制印刷电路基板上针孔或局部厚度不均的产生。
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公开(公告)号：CN103476896A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280015624.X
申请日：2012-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种剥离剂组合物，其含有：聚有机硅氧烷（A），其1分子中具有至少2个烯基、且在硅氧烷骨架中的至少1个硅原子的两侧链上具有芳基；聚有机硅氧烷（B），其不具有芳基、且在1分子中仅两个末端具有烯基；以及，支链状有机硅氧烷低聚物（C），其不具有芳基、但具有包含有机硅氧烷骨架的支链、且在1分子中具有至少2个烯基；聚有机硅氧烷（A）相对于聚有机硅氧烷（A）和支链状有机硅氧烷低聚物（C）的合计量的固体成分比率为40～98质量%，聚有机硅氧烷（B）相对于聚有机硅氧烷（A）、聚有机硅氧烷（B）和支链状有机硅氧烷低聚物（C）的合计量的固体成分比率为2～60质量%。
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公开(公告)号：CN1822931A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020323.1
申请日：2004-09-17
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C04B35/62218 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B2235/441 , C04B2235/6025 , H01G4/08 , H01G4/12 , H01G4/30 , Y10T428/31663 , Y10T428/31786
Abstract: 提供一种生产陶瓷坯片用的浇注膜，所述膜包括基底膜，底涂层和固化层，其中底涂层由来自金属醇盐和/或金属醇盐的部分水解产物的缩合聚合物组成，和所述固化层通过在40－120℃下热处理以固体含量为单位表达的涂布量为0.01－0.3g/m2的含有光敏剂的加成反应类型的硅氧烷树脂组合物，之后紫外辐照它，以固化该组合物而获得。可容易地生产浇注膜，其用于生产在陶瓷电容器、层压感应器元件等中使用的陶瓷坯片，具有对基底膜有利的粘合性，陶瓷淤浆涂布性能和从陶瓷坯片中剥离的可剥离性优良，且拥有任何一个现有技术从未达到过的高的平坦度以及高的抗静电性能。
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