雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质

    公开(公告)号:CN110244812A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910528075.X

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质。该方法包括:获取位于光纤传感系统中的雪崩光电二极管APD的参数信息及与APD连接的目标段光纤的参数信息;在检测到APD的第一环境温度从第一温度值变化为第二温度值的情况下,根据APD的属性信息及第二温度值,确定第一偏压值;根据目标段光纤的第二环境温度及光信号强度,对第一偏压值进行调整,得到第二偏压值;按照第二偏压值对与APD关联的偏压控制电路执行偏压控制操作。本发明解决了对APD的偏压控制操作复杂度较高的技术问题。

    雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质

    公开(公告)号:CN110244812B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201910528075.X

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质。该方法包括:获取位于光纤传感系统中的雪崩光电二极管APD的参数信息及与APD连接的目标段光纤的参数信息;在检测到APD的第一环境温度从第一温度值变化为第二温度值的情况下,根据APD的属性信息及第二温度值,确定第一偏压值;根据目标段光纤的第二环境温度及光信号强度,对第一偏压值进行调整,得到第二偏压值;按照第二偏压值对与APD关联的偏压控制电路执行偏压控制操作。本发明解决了对APD的偏压控制操作复杂度较高的技术问题。

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