公开(公告)号：CN107369713B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201710249273.3

申请日：2017-04-17

Applicant: 现代奥特劳恩株式会社

Inventor： 金台烨 ,  禹赫 ,  金莹俊 ,  朴泰泳 ,  赵汉信 ,  崔闰喆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括第1面及相向于第1面的第2面；外延层，其形成在基板的第1面的上方，且具有第1导电型；基极区，其形成在外延层内，且具有与第1导电型不同的第2导电型；源极区，其形成在基极区内，且具有第1导电型；沟道区，其在基极区内，与源极区间隔而成，且具有第1导电型；及阻挡区，其形成在源极区和沟道区之间，且具有第2导电型。根据本发明能够通过阻挡区(Barrier region)来确保半导体装置的运行稳定性。

公开(公告)号：CN107369713A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710249273.3

申请日：2017-04-17

Applicant: 现代奥特劳恩株式会社

Inventor： 金台烨 ,  禹赫 ,  金莹俊 ,  朴泰泳 ,  赵汉信 ,  崔闰喆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括第1面及相向于第1面的第2面；外延层，其形成在基板的第1面的上方，且具有第1导电型；基极区，其形成在外延层内，且具有与第1导电型不同的第2导电型；源极区，其形成在基极区内，且具有第1导电型；沟道区，其在基极区内，与源极区间隔而成，且具有第1导电型；及阻挡区，其形成在源极区和沟道区之间，且具有第2导电型。根据本发明能够通过阻挡区(Barrier region)来确保半导体装置的运行稳定性。