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公开(公告)号：CN100492563C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN02818951.5
申请日：2002-09-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
Abstract: 在作为双电层电容器的极化电极(31)使用的碳复合电极上，采用具有特殊结构和非常大的表面积的单层碳纳米角聚集体。单层碳纳米角聚集体与酚醛树脂进行混合并成形，且被热处理而构成碳复合电极，再通过含浸在电解液中成为极化电极。使用了该极化电极的双电层电容器具有很大的静电容量，且能够进行大电流放电。
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公开(公告)号：CN1608030A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02822455.8
申请日：2002-11-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/06 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , Y10S977/741 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及锐端多层碳质纳米管放射状集合体及其制造方法。通过在添加有氢的惰性气体环境气氛中所产生的等离子体焰中导入碳棒，使碳蒸发，在碳棒表面堆积制造作为STM或AFM用探针，显示元件，显示器件等的场致发射电子源等使用的，作为新型纳米碳结构的锐端多层碳质纳米管放射状集合体。
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公开(公告)号：CN1292983C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02826947.0
申请日：2002-09-17
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/18 , Y10S977/929
Abstract: 本发明涉及碳质纳米管-碳质纳米喇叭管复合体及其制造方法。利用包含工序1和工序2的制造方法得到能够更有效地利用碳质纳米管和碳质纳米喇叭管聚集体的表面，能够扩大利用可能性的新型碳质纳米管-碳质纳米喇叭管复合体，其中工序1是将碳质纳米管放入液体溶剂中照射超声波，从而使碳质纳米管分散到液体溶剂中，工序2是将碳质纳米喇叭管聚集体加入分散了该碳质纳米管的液体溶剂中，将液体溶剂除去。
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公开(公告)号：CN1280188C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02822455.8
申请日：2002-11-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/06 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , Y10S977/741 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及锐端多层碳质纳米管放射状集合体及其制造方法。通过在添加有氢的惰性气体环境气氛中所产生的等离子体焰中导入碳棒，使碳蒸发，在碳棒表面堆积制造作为STM或AFM用探针，显示元件，显示器件等的场致发射电子源等使用的，作为新型纳米碳结构的锐端多层碳质纳米管放射状集合体。
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公开(公告)号：CN1612843A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826947.0
申请日：2002-09-17
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/18 , Y10S977/929
Abstract: 本发明涉及碳质纳米管－碳质纳米喇叭管复合体及其制造方法。利用包含工序1和工序2的制造方法得到能够更有效地利用碳质纳米管和碳质纳米喇叭管聚集体的表面，能够扩大利用可能性的新型碳质纳米管－碳质纳米喇叭管复合体，其中工序1是将碳质纳米管放入液体溶剂中照射超声波，从而使碳质纳米管分散到液体溶剂中，工序2是将碳质纳米喇叭管聚集体加入分散了该碳质纳米管的液体溶剂中，将液体溶剂除去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1330565C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03820094.5
申请日：2003-04-01
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/02 , Y10S977/75
Abstract: 选择性制备具有特定结构的碳纳米管的方法，其通过向碳纳米管照射单波长的光，使特定电子状态的碳纳米管成为激发状态，用氧或氧化剂使激发状态的碳纳米管氧化并且燃烧、消失，选择性制备具有与消失的碳纳米管不同结构的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1805785A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016853.9
申请日：2004-05-31
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J20/0207 , B01J20/20 , B01J20/205 , B01J20/3234 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 本发明通过在单层碳纳米突上担载镧族金属，获得具有甲烷吸附性的单层碳纳米突吸附材料，由此提供一种甲烷吸附量大，作为甲烷吸附材料有效的单层碳纳米突吸附材料。
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公开(公告)号：CN1257099C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN02814122.9
申请日：2002-07-15
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社 , 财团法人产业创造研究所
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10T428/12576 , Y10T428/30
Abstract: 碳纳米角，其在碳纳米角的周边或内部担载有含有碳以外的原子的粒状物质。
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公开(公告)号：CN100360399C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03805486.8
申请日：2003-02-21
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J20/205 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及能更有效且更简便地利用碳纳米突前端形状的纳米突载体及其制造方法，该纳米突载体如下所述制备：通过使碳纳米突聚集体(1)分散到分散液中，将该分散液供给到基材(3)上后，只将分散液除去而配置碳纳米突聚集体(1)，然后用固定材料被覆该碳纳米突聚集体(1)的一部分或全部而使其附载到固定材料(2)上，从而使1个或2个以上的碳纳米突聚集体(1)的一部分或全部被固定材料(2)附载。
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公开(公告)号：CN1678522A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820094.5
申请日：2003-04-01
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/02 , Y10S977/75
Abstract: 选择性制备具有特定结构的碳纳米管的方法，其通过向碳纳米管照射单波长的光，使特定电子状态的碳纳米管成为激发状态，用氧或氧化剂使激发状态的碳纳米管氧化并且燃烧、消失，选择性制备具有与消失的碳纳米管不同结构的碳纳米管。
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