公开(公告)号：CN110534500B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201811532466.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙燮

IPC: H01L23/544 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括多个芯片和测试焊盘。多个芯片可以检查以特定比特位为单位被激活的多个图案信号的奇偶校验位，并储存通过检查奇偶校验位而生成的测试结果信号。当从任一测试结果信号检测到错误时，多个芯片可以输出错误检测信号。测试焊盘可以将从多个芯片接收的错误检测信号输出到外部部件。多个芯片可以共同耦接到至少一个连接线，使得当从多个芯片中的至少一个芯片输出错误检测信号时，输出的错误检测信号通过测试焊盘被输出。

公开(公告)号：CN110534500A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201811532466.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙燮

IPC: H01L23/544 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体器件可以包括多个芯片和测试焊盘。多个芯片可以检查以特定比特位为单位被激活的多个图案信号的奇偶校验位，并储存通过检查奇偶校验位而生成的测试结果信号。当从任一测试结果信号检测到错误时，多个芯片可以输出错误检测信号。测试焊盘可以将从多个芯片接收的错误检测信号输出到外部部件。多个芯片可以共同耦接到至少一个连接线，使得当从多个芯片中的至少一个芯片输出错误检测信号时，输出的错误检测信号通过测试焊盘被输出。

公开(公告)号：CN110390978B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201811517294.X

申请日：2018-12-12

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙燮

IPC: G11C11/406

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储器模块。半导体器件包括计数器，该计数器被配置为对刷新信号进行计数并输出计数信号。半导体器件可以包括模式控制电路，该模式控制电路被配置为对应于错误校正码信息来接收用于控制刷新周期的第一模式信号和用于恒定地控制刷新周期的第二模式信号，被配置为通过根据第一模式信号控制计数信号来输出其中刷新周期被调整的高级刷新信号，并且被配置为对应于第二模式信号来输出具有恒定刷新周期的智能刷新信号。半导体器件可以包括刷新控制电路，该刷新控制电路被配置为将对应于高级刷新信号和智能刷新信号而设置的用于执行刷新操作的存储体地址输出至存储体。

公开(公告)号：CN107863121B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201710849929.5

申请日：2017-09-20

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙燮

IPC: G11C7/10

Abstract: 一种半导体存储装置包括：写入控制电路，其适用于在写入操作中响应于写入电压的电压电平来产生写入取消信号和重写信号；以及驱动电路，其适用于在写入操作中响应于写入取消信号和重写信号来将数据传输到数据储存区域。

公开(公告)号：CN110390978A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201811517294.X

申请日：2018-12-12

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙燮

IPC: G11C11/406

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储器模块。半导体器件包括计数器，该计数器被配置为对刷新信号进行计数并输出计数信号。半导体器件可以包括模式控制电路，该模式控制电路被配置为对应于错误校正码信息来接收用于控制刷新周期的第一模式信号和用于恒定地控制刷新周期的第二模式信号，被配置为通过根据第一模式信号控制计数信号来输出其中刷新周期被调整的高级刷新信号，并且被配置为对应于第二模式信号来输出具有恒定刷新周期的智能刷新信号。半导体器件可以包括刷新控制电路，该刷新控制电路被配置为将对应于高级刷新信号和智能刷新信号而设置的用于执行刷新操作的存储体地址输出至存储体。

公开(公告)号：CN107863121A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710849929.5

申请日：2017-09-20

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙燮

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C7/22 ,  G11C5/144 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1093 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/222

Abstract: 一种半导体存储装置包括：写入控制电路，其适用于在写入操作中响应于写入电压的电压电平来产生写入取消信号和重写信号；以及驱动电路，其适用于在写入操作中响应于写入取消信号和重写信号来将数据传输到数据储存区域。