公开(公告)号：CN106542744A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610959565.1

申请日：2016-10-28

Applicant: 燕山大学

Inventor： 秦秀娟 ,  王丽欣 ,  张丽茜 ,  卢琳 ,  王晓娟 ,  邵光杰

IPC: C03C17/34 ,  C08J7/06

CPC classification number: C03C17/3441 ,  C03C17/006 ,  C03C2217/425 ,  C03C2218/111 ,  C08J7/06

Abstract: 一种特殊形貌ZnO薄膜的制备方法，其主要是在普通玻璃和PET衬底上，采用浸渍提拉法和滴涂法制备氧化石墨烯(GO，改进的Hummers法制备)模板，在GO模板上，以水热法/溶剂热法生长ZnO薄膜，制备得到具有不同多级结构的特殊形貌的ZnO透明薄膜。本发明通过调节GO模板的性能，实现了特殊形貌ZnO透明薄膜的可控生长。制备工艺简单，可控性好，所制备的ZnO薄膜与使用其他方法制备的相比具有更特殊的多级结构形貌，在光催化、染料敏化太阳能电池、气体传感器等领域有潜在应用价值。

公开(公告)号：CN107815711B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201710990412.8

申请日：2017-10-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 秦秀娟 ,  卢琳 ,  王丽欣 ,  邵光杰 ,  宋爱玲

IPC: C25D9/04 ,  C01B32/198

Abstract: 一种三维网络结构ZnO/ErGO薄膜的制备方法，其主要是以改进的Hummers法制备氧化石墨烯，配制氧化石墨烯水溶液，在ITO导电玻璃上，用电化学还原沉积的方法制备石墨烯薄膜(ErGO)，然后再电沉积制备具有三维网络结构的ZnO/ErGO薄膜。本发明实现了石墨烯上低温≤70℃直接生长金属氧化物半导体材料ZnO，且方法简单、可控、成本低、环境友好，ZnO/ErGO/ITO界面结合力强，可以最大限度的发挥ZnO与石墨烯的协同效应，获得性能优越的纳米复合材料。

公开(公告)号：CN106542744B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610959565.1

申请日：2016-10-28

Applicant: 燕山大学

Inventor： 秦秀娟 ,  王丽欣 ,  张丽茜 ,  卢琳 ,  王晓娟 ,  邵光杰

IPC: C03C17/34 ,  C08J7/06

Abstract: 一种特殊形貌ZnO薄膜的制备方法，其主要是在普通玻璃和PET衬底上，采用浸渍提拉法和滴涂法制备氧化石墨烯(GO，改进的Hummers法制备)模板，在GO模板上，以水热法/溶剂热法生长ZnO薄膜，制备得到具有不同多级结构的特殊形貌的ZnO透明薄膜。本发明通过调节GO模板的性能，实现了特殊形貌ZnO透明薄膜的可控生长。制备工艺简单，可控性好，所制备的ZnO薄膜与使用其他方法制备的相比具有更特殊的多级结构形貌，在光催化、染料敏化太阳能电池、气体传感器等领域有潜在应用价值。

公开(公告)号：CN107815711A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710990412.8

申请日：2017-10-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 秦秀娟 ,  卢琳 ,  王丽欣 ,  邵光杰 ,  宋爱玲

IPC: C25D9/04 ,  C01B32/198

CPC classification number: C25D9/04

Abstract: 一种三维网络结构ZnO/ErGO薄膜的制备方法，其主要是以改进的Hummers法制备氧化石墨烯，配制氧化石墨烯水溶液，在ITO导电玻璃上，用电化学还原沉积的方法制备石墨烯薄膜(ErGO)，然后再电沉积制备具有三维网络结构的ZnO/ErGO薄膜。本发明实现了石墨烯上低温≤70℃直接生长金属氧化物半导体材料ZnO，且方法简单、可控、成本低、环境友好，ZnO/ErGO/ITO界面结合力强，可以最大限度的发挥ZnO与石墨烯的协同效应，获得性能优越的纳米复合材料。