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公开(公告)号：CN116947051A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210386212.2
申请日：2022-04-13
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种丙硅烷的制备方法，包含以下步骤：(1)将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持抽真空条件；(2)将耐压容器的温度降低至‑160～‑50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2L/min～0.8L/min的流速通入至耐压容器中，静置30～120min；(3)将耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，多孔碳材料的比表面积≥500m2/g，孔径分布在0.4nm～5nm。本发明提供了一种利用高比表面积的多孔碳材料催化转化低阶硅烷合成高阶硅烷的方法，本发明的制备方法极大地降低了原料的损失、催化低阶硅烷合成转化为高阶硅烷。
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公开(公告)号：CN116924335A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210342801.0
申请日：2022-04-02
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
IPC分类号： C01B6/06
摘要： 本发明提供一种在液氨中反应生产乙锗烷的方法，包括如下步骤：将多元金属‑锗复合物和氯化铵在液氨介质中进行化学反应，得到乙锗烷；所述多元金属‑锗复合物的结构式为XYGe,其中X,Y分别代表不同的元素，且其中至少一种为金属元素；所述多元金属‑锗复合物由Ge以及下列元素中的两种成分组成：Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Sn、Pb、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Si。本发明方法可以通过提升锗的转化率来生产甲锗烷和高产率的乙锗烷。
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公开(公告)号：CN116459788B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210026687.0
申请日：2022-01-11
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
摘要： 本发明提供一种乙硅烷提纯剂及其制备方法和应用，基于本发明提供的乙硅烷提纯剂，能高效吸附乙硅烷中低浓度的氨气和硫化氢气体，具有吸附杂质能力强、提纯效果好等特点。所述乙硅烷提纯剂包括载体和负载在所述载体上的过渡金属氧化物和碱土金属氯化物，所述载体选自活性炭和/或活性氧化铝，所述过渡金属氧化物中的过渡金属元素选自锰、铁、钴、铜、锌中的一种或多种，所述碱土金属氯化物中的碱土金属元素选自镁、钙、钡、锶中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN116947051B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210386212.2
申请日：2022-04-13
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种丙硅烷的制备方法，包含以下步骤：(1)将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持抽真空条件；(2)将耐压容器的温度降低至‑160～‑50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2L/min～0.8L/min的流速通入至耐压容器中，静置30～120min；(3)将耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，多孔碳材料的比表面积≥500m2/g，孔径分布在0.4nm～5nm。本发明提供了一种利用高比表面积的多孔碳材料催化转化低阶硅烷合成高阶硅烷的方法，本发明的制备方法极大地降低了原料的损失、催化低阶硅烷合成转化为高阶硅烷。
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公开(公告)号：CN116459788A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210026687.0
申请日：2022-01-11
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
摘要： 本发明提供一种乙硅烷提纯剂及其制备方法和应用，基于本发明提供的乙硅烷提纯剂，能高效吸附乙硅烷中低浓度的氨气和硫化氢气体，具有吸附杂质能力强、提纯效果好等特点。所述乙硅烷提纯剂包括载体和负载在所述载体上的过渡金属氧化物和碱土金属氯化物，所述载体选自活性炭和/或活性氧化铝，所述过渡金属氧化物中的过渡金属元素选自锰、铁、钴、铜、锌中的一种或多种，所述碱土金属氯化物中的碱土金属元素选自镁、钙、钡、锶中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN117623318A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210957026.X
申请日：2022-08-10
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/04
摘要： 本发明提供一种粗甲硅烷纯化方法和粗甲硅烷纯化装置，采用本发明的纯化方法纯化粗甲硅烷，对低含量的难去除杂质具有良好的去除效果，且纯化过程中损失率低，吸附塔中的吸附剂不需要频繁的进行周期性活化、钝化处理。所述粗甲硅烷纯化的方法，包括如下步骤：1)将待纯化的粗甲硅烷物料I送入脱轻精馏塔内，得到脱除了部分轻组分的甲硅烷物料II；2)将步骤1)得到的所述甲硅烷物料II送入脱重精馏塔内，得到脱除了部分重组分的甲硅烷物料III；3)将步骤2)得到的所述甲硅烷物料III送入吸附塔内，经一系列升压、降压、降温、升温等得到纯化甲硅烷。
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公开(公告)号：CN117623318B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210957026.X
申请日：2022-08-10
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/04
摘要： 本发明提供一种粗甲硅烷纯化方法和粗甲硅烷纯化装置，采用本发明的纯化方法纯化粗甲硅烷，对低含量的难去除杂质具有良好的去除效果，且纯化过程中损失率低，吸附塔中的吸附剂不需要频繁的进行周期性活化、钝化处理。所述粗甲硅烷纯化的方法，包括如下步骤：1)将待纯化的粗甲硅烷物料I送入脱轻精馏塔内，得到脱除了部分轻组分的甲硅烷物料II；2)将步骤1)得到的所述甲硅烷物料II送入脱重精馏塔内，得到脱除了部分重组分的甲硅烷物料III；3)将步骤2)得到的所述甲硅烷物料III送入吸附塔内，经一系列升压、降压、降温、升温等得到纯化甲硅烷。
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公开(公告)号：CN219456066U
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202320216081.3
申请日：2023-02-14
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
摘要： 本实用新型提供一种锗烷中痕量杂质的分析装置。分析装置包括：进样系统，用于输入锗烷样品；第一分离柱，其与进样系统连通，用于从锗烷样品中先后分离出第一类杂质、锗烷和第二类杂质；第二分离柱，其与第一分离柱连通，用于将来自第一分离柱的第一类杂质进行分离；第三分离柱，其与第一分离柱连通，用于将来自第一分离柱的所述第二类杂质进行分离；第一检测器，其与第二分离柱通过管路连通，用于检测第一类杂质中的各组分的含量；第二检测器，其与第三分离柱通过管路连通，用于检测第二类杂质中的各组分的含量。使用本实用新型所述的分析装置，可以一次进样即可实现锗烷中杂质的全分析，具有简洁易于操作、分析速度快的优点。
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公开(公告)号：CN219552238U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202320180622.1
申请日：2023-02-07
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
IPC分类号： G01N21/03 , G01N21/3518
摘要： 本申请提供了一种改进的红外光谱气体池装置。改进的红外光谱气体池装置包括：样品部，所述样品部用于供应样品气；标气部，所述标气部用于供应标准气；气体池，所述气体池包括检测区，所述样品部与所述标气部均通过阀门与所述气体池可启闭地相连通，所述气体池连通有卸荷阀；光程部，所述光程部包括分别密封设置在所述检测区相背设置的两个检测端的第一光程区和第二光程区，所述第一光程区和所述第二光程区内均填充有惰性气体。本申请提供的改进的红外光谱气体池装置，消除了光程暴露在实验室环境中导致的检测结果背景噪声偏高的问题，提高了检测结果的可靠性，同时实现离线仪器的动态检测功能。
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公开(公告)号：CN219304715U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202222535536.6
申请日：2022-09-23
申请人： 烟台万华电子材料有限公司
摘要： 本实用新型提供一种电力电源转换装置及电力电源系统，该电力电源转换装置包括壳体和设置在所述壳体内的电源转换单元，所述电源转换单元包括与外接电源电连接的整流器、三相逆变器和三相变压器，所述整流器的输出端与所述三相逆变器的输入端电连接，所述三相逆变器的输出端与所述三相变压器的输入端电连接。实施本实用新型，通过在壳体内设置电源转换单元，电源转换单元包括整流器、三相逆变器和三相变压器，使外接电源(如市电)转换成所需电压和频率的交流电，电源转换率高、稳定性好，结构简单，成本低。
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