专利检索 ap:("滁州亿晶光电科技有限公司") AND inv:"彭宇" 第 1 页

1.

发明公开
一种用于太阳能电池正膜预处理结构及预处理方法审中-实审

公开(公告)号：CN118136733A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410283476.4

申请日：2024-03-13

申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司

发明人： 彭宇 , 吴宇 , 徐明靖

IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216

摘要： 本发明公开一种用于太阳能电池正膜预处理结构及预处理方法，包括减反射机构，减反射机构位于复合氮化硅层临近硅基底的一侧与氧化铝层之间，所述减反射机构由石墨舟在M1摄氏度以及S1Pa的炉内通入L1sccm氨气后反应T1时间制成，该种用于太阳能电池正膜预处理结构及预处理方法，替代传统的太阳能电池正膜镀层钝化的方式，避免了原先进行高温烧结后，钝化效果减弱，影响太阳能电池转化效率的问题。