发明公开
- 专利标题： 一种用于太阳能电池正膜预处理结构及预处理方法
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申请号： CN202410283476.4申请日： 2024-03-13
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公开(公告)号： CN118136733A公开(公告)日： 2024-06-04
- 发明人: 彭宇 , 吴宇 , 徐明靖
- 申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
- 申请人地址： 安徽省滁州市全椒县十字镇通湖大道1号
- 专利权人： 滁州亿晶光电科技有限公司
- 当前专利权人： 滁州亿晶光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省滁州市全椒县十字镇通湖大道1号
- 代理机构： 滁州天顺知识产权代理事务所
- 代理商 李叶舟
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0216
摘要：
本发明公开一种用于太阳能电池正膜预处理结构及预处理方法，包括减反射机构，减反射机构位于复合氮化硅层临近硅基底的一侧与氧化铝层之间，所述减反射机构由石墨舟在M1摄氏度以及S1Pa的炉内通入L1sccm氨气后反应T1时间制成，该种用于太阳能电池正膜预处理结构及预处理方法，替代传统的太阳能电池正膜镀层钝化的方式，避免了原先进行高温烧结后，钝化效果减弱，影响太阳能电池转化效率的问题。
IPC分类:
