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公开(公告)号：CN114959572A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210561787.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料及薄膜制备方法。通过利用磁控溅射设备，采用双靶共溅射的方式制备出金属钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜，与未经掺杂的Ta0.5Hf0.5C薄膜对比，该薄膜微观结构与力学性能均发生变化，研究结果表明，随着钨掺杂量的增加，样品的面心立方结构发生变化，晶粒尺寸与粗糙度逐渐减小，薄膜截面形貌致密度高。同时，钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜的硬度与韧性均得到明显提升。
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