公开(公告)号：CN112547083B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201910909783.8

申请日：2019-09-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘冀锴 ,  杨强 ,  刘加丽 ,  温丽苹 ,  罗和安

IPC: B01J23/888 ,  C25B1/04 ,  C25B11/097

Abstract: 本发明公开一种通过不同晶相一氧化钴负载提高金属氧化物半导体电极材料光电化学性能的方法。本发明以锡掺杂的玻璃为导电基底，采用水热法合成三氧化钨纳米片。将制备出不同相的一氧化钴纳米片，即闪锌矿相一氧化钴(B‑CoO)和页岩相一氧化钴(R‑CoO)，利用旋涂法分别沉积在三氧化钨纳米片上，并在氩气氛围中煅烧即可制得光电极，即B‑CoO/WO3和R‑CoO/WO3。所述两种晶相的一氧化钴负载三氧化钨纳米片表面，显著改善电极材料的光电化学性能。可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢、光电催化降解有机污染物等领域。

公开(公告)号：CN112547083A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201910909783.8

申请日：2019-09-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘冀锴 ,  杨强 ,  刘加丽 ,  温丽苹 ,  罗和安

IPC: B01J23/888 ,  C25B1/04 ,  C25B11/097

Abstract: 本发明公开一种通过不同晶相一氧化钴负载提高金属氧化物半导体电极材料光电化学性能的方法。本发明以锡掺杂的玻璃为导电基底，采用水热法合成三氧化钨纳米片。将制备出不同相的一氧化钴纳米片，即闪锌矿相一氧化钴(B‑CoO)和页岩相一氧化钴(R‑CoO)，利用旋涂法分别沉积在三氧化钨纳米片上，并在氩气氛围中煅烧即可制得光电极，即B‑CoO/WO3和R‑CoO/WO3。所述两种晶相的一氧化钴负载三氧化钨纳米片表面，显著改善电极材料的光电化学性能。可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢、光电催化降解有机污染物等领域。