公开(公告)号：CN112547083A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201910909783.8

申请日：2019-09-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘冀锴 ,  杨强 ,  刘加丽 ,  温丽苹 ,  罗和安

IPC: B01J23/888 ,  C25B1/04 ,  C25B11/097

Abstract: 本发明公开一种通过不同晶相一氧化钴负载提高金属氧化物半导体电极材料光电化学性能的方法。本发明以锡掺杂的玻璃为导电基底，采用水热法合成三氧化钨纳米片。将制备出不同相的一氧化钴纳米片，即闪锌矿相一氧化钴(B‑CoO)和页岩相一氧化钴(R‑CoO)，利用旋涂法分别沉积在三氧化钨纳米片上，并在氩气氛围中煅烧即可制得光电极，即B‑CoO/WO3和R‑CoO/WO3。所述两种晶相的一氧化钴负载三氧化钨纳米片表面，显著改善电极材料的光电化学性能。可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢、光电催化降解有机污染物等领域。

公开(公告)号：CN120089814A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202510565608.7

申请日：2025-04-30

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘泓 ,  马行 ,  刘加丽 ,  王林青 ,  赵华辉 ,  王先友

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/05

Abstract: 本发明提出了一种基于锡基氟化物NH4Sn2F5氟离子电解质的室温高能量密度固态氟离子电池的制备方法，本发明以氟化铵和氟化锡为原料，采用高能球磨技术制备锡基氟化物NH4Sn2F5氟离子固态电解质粉末。在此基础上，通过冷压成型工艺制备电解质片，并将电解质粉末与活性电极材料复合，成功制备出室温高能量密度固态氟离子电池，在0.03毫安/平方厘米电流密度下首次放电比容量达206.6毫安时/克，16次循环后达111.2毫安时/克。本发明具有以下突出优点：其一，实现了固态氟离子电池在室温环境下的高效工作，突破了传统技术只能在高温条件下运行的局限；其二，制备工艺简洁高效，有利于大规模生产；为下一代高能量密度储能器件的开发提供了新的技术路径。

公开(公告)号：CN117855592A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410081546.8

申请日：2024-01-19

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 王先友 ,  刘加丽 ,  赵华辉 ,  夏靖程 ,  李东都 ,  倪书翰 ,  苏欣怡 ,  陈奕轩 ,  易玲光 ,  陈晓義

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/05 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供了一种固态电解质及其制备方法，属于氟离子电池材料领域。本发明提供的固态电解质的制备方法，包括以下步骤：(1)将SbF3和KF手动混合，得到混合物；(2)将所述步骤(1)得到的混合物进行热处理，得到固态电解质；所述步骤(2)中热处理的温度为200～300℃，热处理的时间为10～14h；升温至所述热处理的温度的升温速率为1～10℃/min。本发明制得的固态电解质最高具有1.05×10‑4S·cm‑1的室温离子电导率，是传统湿法制备的固态电解质的4倍，具有优异的离子传导性能。

公开(公告)号：CN117334913A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311356375.7

申请日：2023-10-19

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 王先友 ,  刘晓林 ,  李芝 ,  刘加丽 ,  胡辉 ,  陈嘉睿 ,  刘泓

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/136 ,  H01M10/0525 ,  C01G49/00 ,  C01B32/05 ,  H01M4/36 ,  H01M4/525

Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池用Li5FeO4/C正极预锂化材料的制备方法，涉及锂离子电池正极材料预锂化技术领域，其技术方案要点是：包括如下步骤：S1：按质量比称取蔗糖和纳米氧化铁，然后分散在去离子水中搅拌蒸干；S2：将步骤S1得到的材料放进管式炉内在惰性气氛下进行煅烧，得到Fe3O4@C材料；S3：将步骤S2得到的Fe3O4@C材料与氧化锂混合研磨，并压制成小圆片；S4：将经步骤S3后得到的材料放进管式炉内，再次在惰性气氛下煅烧，得到Li5FeO4/C材料。本发明材料制备工艺过程简单，得到的Li5FeO4/C正极补锂材料具有较好的导电性和良好的电化学性能。将其应用到磷酸铁锂正极材料中，其首次充电容量得到提升并且不会对电池的循环性能产生影响。

公开(公告)号：CN112547083B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201910909783.8

申请日：2019-09-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 刘冀锴 ,  杨强 ,  刘加丽 ,  温丽苹 ,  罗和安

IPC: B01J23/888 ,  C25B1/04 ,  C25B11/097

Abstract: 本发明公开一种通过不同晶相一氧化钴负载提高金属氧化物半导体电极材料光电化学性能的方法。本发明以锡掺杂的玻璃为导电基底，采用水热法合成三氧化钨纳米片。将制备出不同相的一氧化钴纳米片，即闪锌矿相一氧化钴(B‑CoO)和页岩相一氧化钴(R‑CoO)，利用旋涂法分别沉积在三氧化钨纳米片上，并在氩气氛围中煅烧即可制得光电极，即B‑CoO/WO3和R‑CoO/WO3。所述两种晶相的一氧化钴负载三氧化钨纳米片表面，显著改善电极材料的光电化学性能。可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢、光电催化降解有机污染物等领域。