公开(公告)号：CN112768597B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110198823.X

申请日：2021-02-22

Applicant: 湖南大学

Inventor： 胡袁源 ,  陈凯旋 ,  陈平安 ,  陈卓俊

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/24

Abstract: 本发明提供了一种增强有机半导体热电性能的方法以及制备有机半导体热电器件，本发明以有机半导体材料为主体，并将量子点沉积到有机半导体层上，形成有机半导体/量子点异质结。该方法工艺简单，成本低，具有通用性，高电导率和较大的功率因数，从而可以应用在热电器件领域。

公开(公告)号：CN112768597A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110198823.X

申请日：2021-02-22

Applicant: 湖南大学

Inventor： 胡袁源 ,  陈凯旋 ,  陈平安 ,  陈卓俊

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/24

Abstract: 本发明提供了一种增强有机半导体热电性能的方法以及制备有机半导体热电器件，本发明以有机半导体材料为主体，并将量子点沉积到有机半导体层上，形成有机半导体/量子点异质结。该方法工艺简单，成本低，具有通用性，高电导率和较大的功率因数，从而可以应用在热电器件领域。