公开(公告)号：CN118483866A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410723007.X

申请日：2024-06-05

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘杰 ,  杨雨洁 ,  赵浩杰 ,  张思媛 ,  陈嘉欣 ,  钟晓扬

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明是一种面向曼哈顿版图的电子束光刻邻近效应逆向校正方法，目的是通过结合剂量调制纠正长距离效应和形状调整纠正短距离效应的优点，实现更高精度地进行邻近效应校正，从而提高电路图案保真度。本方法首先将原始目标版图裂解为互不相交的矩形，计算整个版图的能量沉积密度，接着使用剂量校正迭代算法更改整个版图的曝光剂量分布，然后遍历每个图形贪心地进行形状调整，直到满足退出条件。本发明共分为四个步骤：步骤S1裂解目标版图；步骤S2计算版图能量沉积密度；步骤S3邻近效应剂量校正；步骤S4邻近效应形状校正。

公开(公告)号：CN117521393A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311556188.3

申请日：2023-11-21

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘杰 ,  赵浩杰 ,  张思媛 ,  杨雨洁 ,  陈嘉欣 ,  钟晓扬

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/10

Abstract: 一种面向曼哈顿版图电子束光刻能量沉积密度分布计算的高校方法。本发明是一种基于版图裂解的分层电子束光刻邻近效应校正版图能量沉积计算方法。本方法通过将原始版图裂解为不相交矩形，在保证精度的前提下，分层计算电子束光刻邻近效应能量沉积，极大的降低了电子束光刻邻近效应校正过程中对计算资源的需求，最终提高电子束光刻邻近效应校正效率。本发明共分为五个步骤：步骤S1曼哈顿曝光版图读入；步骤S2裂解曼哈顿版图为矩形；步骤S3分层计算电子束光刻能量沉积密度分布，电子束光刻能量沉积密度分布分为电子束光刻前散射能量沉积密度分布与电子束光刻背散射能量沉积密度分布的和；步骤S4显影与测量均值误差；步骤S5更新矩形曝光剂量。

公开(公告)号：CN117371251A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311556470.1

申请日：2023-11-21

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘杰 ,  钟晓扬 ,  姚康沛 ,  赵浩杰

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/13 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明是一种求解电子束光刻温度场的高速计算方法，目的是在保证精度的前提下，通过一定的近似处理，将原本复杂的三维热传导方程求解过程简化为二维平面上的简单计算，并利用基于CPU、GPU、FPGA或者ASIC的大规模并行计算技术，将束斑数据分配至多个计算节点中进行计算，显著提高了电子束光刻过程中光刻胶温度场的计算效率。该方法的步骤如图1所示：步骤S1，读入曝光版图，获取束斑数据；步骤S2，完成束斑数据划分；步骤S3，计算各束斑引起的光刻胶温度变化；步骤S4，各子进程将数据发送至主进程，完成温度分布计算。