一种RC-IGBT型储能变换器的驱动控制方法

    公开(公告)号:CN110224597A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910166907.8

    申请日:2019-03-06

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种RC-IGBT型储能变换器的驱动控制方法,通过检测输出电流方向来判断储能变换器处于充电或放电状态,其中充电状态下RC-IGBT型储能变换器的上桥臂为二极管续流模式,放电状态下RC-IGBT型储能变换器的下桥臂为二极管续流模式。而在二极管续流阶段,采用负电平驱动,取代传统的高电平驱动,降低FRD深度饱和,减少FRD的导通损耗;在二极管续流关断阶段,通过退饱和控制来降低FRD的饱和程度,减小FRD的关断损耗。同时,为了避免退饱和脉冲造成储能变换器的死区过大,进一步提出一种低死区PWM调制方法来解决占空比与退饱和相互制约的难题。本发明有效地降低了储能变换器的开关损耗,提高了储能变换器的工作效率。

    一种应用RC-IGBT的NPC变流器驱动控制方法

    公开(公告)号:CN109660142A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201910159358.1

    申请日:2019-03-04

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种应用RC-IGBT的NPC变流器驱动控制方法,结构上将原有NPC变流器的IGBT器件与反并联二极管均由RC-IGBT器件替代来减小装置体积。相较于常规的NPC变流器,所设计变流器的工作模态由3种变换至6种,驱动控制变得较复杂。进一步提出了一种六模态驱动控制方法,根据PWM调制信号和电流方向得出功率器件的工作模态,来设置功率器件处于IGBT开通、二极管续流和RC-IGBT关断三种模式,并相应给出+15V、-15V和-15V的驱动信号。同时,为了减小二极管续流模式下的反向恢复电流,在RC-IGBT关断前引入退饱和控制方法,降低关断损耗。本发明所提拓扑结构和驱动控制方法,能够有效地减小器件开关损耗,增大变流器的功率密度。

    三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法

    公开(公告)号:CN109905015B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201910178085.5

    申请日:2019-03-08

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法,先通过高速霍尔传感器电路来检测负载电流,从而判断逆导IGBT的工作模式。然后针对二极管模式,应用FPGA产生‑15,15,0V的三电平控制逻辑,通过设计的驱动电路将三电平控制逻辑转化为栅极电压,来驱动逆导IGBT;针对死区和IGBT模式,采用传统的两电平驱动。本发明判断逆导IGBT工作模式的速度和精度较高,硬件成本低。且本发明能解决二极管导通损耗和动态损耗之间的相互矛盾,更加有效地降低逆导型IGBT的开关损耗,提高驱动的安全性。

    一种RC-IGBT型储能变换器的驱动控制方法

    公开(公告)号:CN110224597B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910166907.8

    申请日:2019-03-06

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种RC‑IGBT型储能变换器的驱动控制方法,通过检测输出电流方向来判断储能变换器处于充电或放电状态,其中充电状态下RC‑IGBT型储能变换器的上桥臂为二极管续流模式,放电状态下RC‑IGBT型储能变换器的下桥臂为二极管续流模式。而在二极管续流阶段,采用负电平驱动,取代传统的高电平驱动,降低FRD深度饱和,减少FRD的导通损耗;在二极管续流关断阶段,通过退饱和控制来降低FRD的饱和程度,减小FRD的关断损耗。同时,为了避免退饱和脉冲造成储能变换器的死区过大,进一步提出一种低死区PWM调制方法来解决占空比与退饱和相互制约的难题。本发明有效地降低了储能变换器的开关损耗,提高了储能变换器的工作效率。

    三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法

    公开(公告)号:CN109905015A

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201910178085.5

    申请日:2019-03-08

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法,先通过高速霍尔传感器电路来检测负载电流,从而判断逆导IGBT的工作模式。然后针对二极管模式,应用FPGA产生-15,15,0V的三电平控制逻辑,通过设计的驱动电路将三电平控制逻辑转化为栅极电压,来驱动逆导IGBT;针对死区和IGBT模式,采用传统的两电平驱动。本发明判断逆导IGBT工作模式的速度和精度较高,硬件成本低。且本发明能解决二极管导通损耗和动态损耗之间的相互矛盾,更加有效地降低逆导型IGBT的开关损耗,提高驱动的安全性。

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